MIM电容结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种用于制作金属-绝缘体-金属电容结构的方法，包括：提供前端器件结构，在所述前端器件结构上形成有第一层间介电层；蚀刻所述第一层间介电层，直至露出所述前端器件结构的表面，以在所述第一层间介电层中形成凹槽；在所述第一层间介电层上以及在所述凹槽中，依次形成下层金属阻挡层、电容介电层和上层金属阻挡层；以及平坦化所述上层金属阻挡层，以使所述上层金属阻挡层的表面与所述第一层间介电层的表面齐平。该方法能够避免由于各种互连结构中需要同时形成的通孔存在深度差而引起的问题，例如，MIM电容器的上电极板的损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，且具体而言，涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器及其制作方法。
技术介绍
目前，半导体器件中的电容器按照结构大致可以分为多晶硅-绝缘体-多晶硅 (PIP)电容器和金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。在实际应用中，可以根据半导体器件的特性有选择地使用这些电容器。例如，在高频半导体器件中，可以选用MIM电容器。随着半导体器件集成度的提高，要求电容器具有更大的电容值，以确保电容器能够正常工作。然而，PIP电容器由于在作为上/下电极板的多晶硅与作为电容介电层的绝缘层之间的界面处容易发生氧化，而会使电容值减小。此外，MIM电容器可以具有最小的电阻率，并且由于内部耗尽以及相对较大的电容而基本上不会存在寄生电容。因此，在半导体器件中，尤其是在高频器件中，通常会选用MIM电容器。现有技术中，MIM电容器通常在后段工艺(BEOL)形成铜互连结构时形成。铜互连结构可以形成在MIM电容器周围，其中上层铜互连层和下层铜互连层可以经由导电插塞 (plug)(例如，钨塞)彼此相连，并且MIM电容器也可以经由导电插塞与这些金属互连层或晶体管的漏区相连。此外，由于铜较难蚀刻，因而一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙武，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：