温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种用于制作金属-绝缘体-金属电容结构的方法，包括：提供前端器件结构，在所述前端器件结构上形成有第一层间介电层；蚀刻所述第一层间介电层，直至露出所述前端器件结构的表面，以在所述第一层间介电层中形成凹槽；在所述第一层间介电层上以及在...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。