【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造工艺,特别是涉及一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺ο
技术介绍
随着半导体芯片的集成度不断提高,晶体管的特征尺寸不断缩小。进入到130纳米技术节点之后,受到铝的高电阻特性的限制,铜互连逐渐替代铝互连成为金属互连得主流。由于铜的干法刻蚀工艺不易实现,铜导线的制作方法不能像铝导线那样通过刻蚀金属层而获得。现在广泛采用的铜导线的制作方法是称作大马士革工艺的镶嵌技术。该工艺在硅片上首先沉积低k值介质层,然后通过光刻和刻蚀在介质层中形成金属导线槽,继续后续的金属层沉积和金属层化学机械研磨制成金属导线。该工艺包括只制作金属导线的单大马士革工艺和同时制作接触孔和金属导线的双大马士革工艺。在大马士革工艺中用到金属层化学机械研磨最终形成镶嵌在介质层中的金属导线。为了达到均勻的研磨效果,要求硅片上的金属图形密度尽可能均勻。而产品设计的金属图形密度常常不能满足化学机械研磨均勻度要求。解决的方法是在版图的空白区域填充冗余金属来使版形密度均勻化。冗余金属提高了图形密度的均勻度,但是不可避免地引入了额外的金属间的耦合电容。为了减少额外的耦合电容带给器件的负面影响,在设计冗余金属填充时要尽可能减少冗余金属的填充数量。电容可以由下列公式计算权利要求1.一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺,其特征在于,其工艺步骤如下1)沉积低k值介质层;2)在沉积的低k值介质层上形成刻蚀阻挡层;3)完成光刻和刻蚀去除非冗余金属区域的刻蚀阻挡层;4)再次沉积低k值介质达到所需厚度的低k值介质层;5)完成光刻和刻蚀形成通孔;6)再次光刻和刻蚀形成金属导线槽和冗余金属槽;7)进行 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:毛智彪,胡友存,戴韫青,王剑,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。