【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种检查填充工艺中空隙的方法，包括步骤：第一步，提供待测晶圆，使用填充工艺在所述待测晶圆上形成浅沟槽隔离氧化硅；第二步，对待测晶圆的表面进行目检；第三步，判断是否存在空洞；第四步，若所述待测晶圆表面存在空洞，则分析空洞形态，对填充工艺进行优化；第五步，若所述待测晶圆表面不存在空洞，则对浅沟槽隔离氧化硅进行多次酸槽清洗，每次酸槽清洗之后均跳回第二步进行循环；第六步，若多次酸槽清洗之后目检所述待测晶圆表面不存在空洞，则无需对工艺进行优化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐灵芝，张文广，郑春生，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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