提高硅片背封时硅片厚度均匀性的托盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高硅片背封时硅片厚度均匀性的托盘，其特征在于，包括托盘本体及限位挡条；所述托盘本体上表面为平面，所述的托盘本体上表面设置有突出于其上表面的限位挡条；所述限位挡条数目为两个以上，沿圆周方向间隔设置。本实用新型专利技术中的可提高硅片背封时硅片厚度均匀性的托盘，用于硅片背封时，可将膜厚片间均匀性由16.61％提高到了8.3％。边缘不均不良率降低2个百分点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘。
技术介绍
硅片背封是在硅片表面沉积二氧化硅薄膜。背封是在背封炉中进行。背封时，硅片放置于托盘上。图1为一种硅片背封时所使用的托盘俯视图。图2为图1的A-A剖视图。如图1、图2所示，托盘1上设置有放置硅片的容置槽11，容置槽11的边缘处对称设置有两个导槽12。实际生产时，每个托盘上设置有多个容置槽，图1、图2仅示出了一个。托盘1沿着图1中右侧的箭头方向行进进入背封炉。导槽12的作用是方便取放硅片。沉积二氧化硅时，硅片的温度在一定变化范围内决定着沉积的二氧化硅薄膜的厚度。温度高，则二氧化硅薄膜厚；温度低，则二氧化硅薄膜薄。但在实际生产过程中，由于容置槽11低于托盘上表面13，容置槽11的槽壁阻挡了二氧化硅气体，使气体与硅片边缘可进行充分反应， 而导槽12处由于无槽壁的阻挡，导致靠近导槽12上方的气流可快速通过硅片表面，无法充分反应。因此，导致靠近导槽12的硅片处沉积的二氧化硅薄膜厚度小于靠近槽壁13附近的薄膜厚度。如图3所示为图1、图2所示的托盘生产的硅片俯视图。图中箭头为硅片进入背封炉时的前进方向。硅片5沿前进方向前侧区域53与后侧区域M处的厚度均小于其他部分的厚度。由于以上原因，致使背封后的硅片厚度均勻性值较大，产品不良率较高，增加了生产成本。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘。为实现以上目的，本技术通过以下技术方案实现为实现上述目的，本技术通过以下技术方案实现提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，其特征在于，包括托盘本体及限位挡条； 所述托盘本体上表面为平面，所述的托盘本体上表面设置有突出于其上表面的限位挡条； 所述限位挡条数目为两个以上，沿圆周方向间隔设置。优选地是，所述限位挡条与硅片相对的侧面与硅片边缘形状相适应。优选地是，所述限位挡条包括第一挡条和第二挡条，所述第一挡条与硅片相对的侧面为弧形；所述第二挡条有两个侧面分别与两个硅片相对，所述第二挡条分别与两个硅片相对的侧面均为弧形。优选地是，所述第一挡条和第二挡条数目均为两个。优选地是，还包括第三挡条，第三挡条与第一挡条镜像设置；第一挡条与第三挡条之间设置有两个以上间隔设置的第二挡条。 优选地是，第一挡条数目为两个，沿圆周方向间隔设置；第三挡条数目为两个，沿圆周方向间隔设置；第二挡条每两个为一组，每一组中的两个第二挡条沿圆周方向间隔设置；两组以上的第二挡条间隔设置于第一挡条与第三挡条之间。优选地是，两个以上的限位档条的位置分布，使得沿硅片前进方向硅片前后两侧未受限位档条阻挡的两部分弧形边缘均为硅片整个周长的四分之一至三分之一。本技术中的可提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，用于硅片背封时，可将膜厚片间均勻性由16. 61%提高到了 8.3%。边缘不均不良率降低2个百分点。附图说明图1为一种硅片背封时所使用的托盘俯视图。图2为图1的A-A剖视图。图3为使用图1中所述的托盘生产的硅片俯视图。图4本技术实施例1中的托盘俯视图；图5为实施例1的使用状态俯视图图。图6为实施例2中的托盘及其使用状态时的俯视图。图7为实施例3中的托盘俯视图。图8为实施例3中的托盘使用状态俯视图。图9为对硅片的厚度测定选取的测定点示意图。图10为使用图1所示的托盘至部分更换为本技术实施例3的托盘直至全部更换为本技术实施例3的托盘后的硅片因边缘厚度不均勻导致的不良率变化曲线图。具体实施方式以下结合附图对本技术进行详细的描述实施例1如图4、图5所示，提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，包括托盘本体1及第一挡条2。托盘本体1上表面13为平面。第一挡条2突出于托盘本体1的上表面13。第一挡条2数目为四个，沿圆周方向间隔设置。使用时，硅片5放置于四个第一挡条2之间。每个第一挡条2均有一个侧面21与硅片5相对。每个第一挡条2与硅片5相对的侧面21形状与硅片5的形状相适应，也是弧形。四个第一挡条2可防止硅片5移动。图4右侧箭头为托盘1进入背封炉时的运动方向。沿运动方向，硅片5前侧和后侧未受第一档条2阻挡的前侧边缘51和后侧边缘52的弧长为硅片5圆周长的三分之一。实施例1中，每四个第一挡条2夹住一个硅片5。使用时，将硅片5放置于四个第一挡条2之间，将托盘1送入背封炉内，在硅片5 表面沉积二氧化硅薄膜。实施例2如图6所示，其与实施例1不同之处在于，第一档条2数目为两个。实施例3如图7、图8所示，提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，包括托盘本体1、第一挡条2、第二挡条3及第四挡条4。托盘本体1的上表面13为平面。第一挡条2、第二挡条 3及第四挡条4突出于托盘本体1的上表面13。第一挡条2数目为两个，沿圆周方向间隔设置。第一档条2与硅片5相对的侧面21为弧形。第三挡条4数目为两个，沿圆周方向间隔设置。第三档条4与硅片5相对的侧面41为弧形。两个第二挡条3为一组，每个第二挡条3均有两个侧面分别与两个硅片5相对。每个第二挡条3与硅片5相对的第一侧面31 和第二侧面32均与硅片5的边缘形状相适应。两个第二挡条3位于两个第一挡条2与两个第三挡条4之间。使用时，一个硅片5放置于两个第一挡条2与第二挡条3之间。一个硅片5放置于两个第二挡条3与两个第三挡条4之间。两个第二挡条3可对两个硅片5起到限位作用。 图4右侧箭头为托盘1进入背封炉时的运动方向。沿运动方向，硅片5前侧和后侧未受第一档条2、第二挡条3阻挡的前侧边缘51和后侧边缘52的弧长为硅片5圆周长的三分之ο分别使用图1所示的托盘与使用实施例3所述的托盘对硅片背封处理，其实验结果如下使用图1所示的托盘生产6片硅片，既硅片1-硅片6，每片硅片取圆心处及靠近边缘2mm处的沿圆周方向均勻分布的四个点测定其厚度。使用实施例3所示的托盘生产6 片硅片，既硅片7-硅片12。如图9所示，每片硅片取圆心处及靠近边缘2mm处的沿圆周方向均勻分布的四个点测定其厚度，即图9中的上、下、左、右、中五个点测定其厚度。使用图 1所示的托盘生产的硅片的厚度测试点的位置与使用本技术实施例3的托盘生产的硅片厚度测试点的位置相同。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，其特征在于，包括托盘本体及限位挡条； 所述托盘本体上表面为平面，所述的托盘本体上表面设置有突出于其上表面的限位挡条； 所述限位挡条数目为两个以上，沿圆周方向间隔设置。2.根据权利要求1所述的提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，其特征在于，所述限位挡条与硅片相对的侧面与硅片边缘形状相适应。3.根据权利要求1或2所述的提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，其特征在于， 所述限位挡条包括第一挡条和第二挡条，所述第一挡条与硅片相对的侧面为弧形；所述第二挡条有两个侧面分别与两个硅片相对，所述第二挡条分别与两个硅片相对的侧面均为弧形。4.根据权利要求3所述的提高硅片背封时硅片厚度均勻性的托盘，其特征在于，所述第一挡条和第二挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋明康，江笠，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：