【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体元件形成的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法、 及半导体元件形成的磊晶成长膜形成用金属积层基板。
技术介绍
为了获得优异的半导体元件，而必须在基板上形成配向性高的磊晶成长膜。因此，以前，磊晶成长膜用基板是使用结晶配向性优异的单晶硅(Si)、单晶砷化镓 (GaAs)、单晶蓝宝石(Al2O3)等单晶晶圆。但是，这些单晶晶圆的尺寸较大也为300πιπιΦ左右的砧板，无法通过象卷到卷方式的连续的生产方式进行成膜。另外，Si等也无强度，在制造步骤的搬送过程中，不容易操作而需要特别注意。除了所述单晶晶圆以外，形成磊晶成长膜的基板已知有将Ni、Cu、Ag或这些的合金以大于等于90%的压下率进行冷延，对材料整体赋予均勻的应变后，通过热处理进行再结晶，而形成高度双轴结晶配向性的金属基板。其中，经结晶配向的Ni或Ni-W合金的基板虽可以用作氧化物超电导用等的基板， 但以4mm IOmm宽度程度的窄宽度的结晶配向金属带的形式提供，并非以宽幅、长条、且高度结晶配向的基板的形式提供。另外也存在以下问题等，所述Ni-W合金并非通常所普及的材料而价格高，加工性也差...
【技术保护点】
层并冷延的步骤；以及通过热处理使所述金属箔双轴结晶配向的步骤。１．一种半导体元件形成用金属积层基板的制造方法，其特征在于：包括将金属板的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于９０％进行冷延的包含Ｃｕ或Ｃｕ合金的金属箔的至少一个表面活化的步骤；使所述金属板的活化表面与所述金属箔的活化表面相对向进行积
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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