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本发明提供一种用来形成金属基板的表面具有高度双轴结晶配向性的半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板。所述半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法，包括：通过溅镀蚀刻等将金属板Ｔ１的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于９０％...
该专利属于东洋钢钣株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东洋钢钣株式会社授权不得商用。

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