【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体基板(Semiconductor Wafer)、电子器件、以及半导体基板的制造方法。本专利技术尤其涉及使用廉价的SOI (硅绝缘体；Silicon On hsulator)基板，在绝缘膜上形成了结晶性良好的化合物半导体晶体薄膜的半导体基板、电子器件、和半导体基板的制造方法。
技术介绍
作为使用了 GaAs系等的化合物半导体晶体的电子器件，开发有利用异质结的各种高功能电子器件。因为化合物半导体晶体的结晶性可影响电子器件的性能，所以一直寻求质量优良的晶体薄膜。在制造采用GaAs系的化合物半导体晶体的电子器件时，从在异质结界面的晶格匹配等的要求考虑，在由GaAs制作或者由与GaAs晶格常数极为接近的Ge等制作的基底基板上面结晶生长薄膜。在专利文献1中记载了包括在具有晶格不匹配的基板或位错缺陷密度大的基板的上面生长的外延区域的限定区域的半导体器件。非专利文献1中记载了由横向外延过度生长法(lateral epitaxial overgrowthepitaxialovergrowth)形成的用 Ge 覆盖的 Si 基板上的低位错密度GaAs外延生长层。...
【技术保护点】
１．一种半导体基板，其是依次包括基底基板、绝缘层和Ｓｉ结晶层的半导体基板，其特征在于，包括：设置于所述Ｓｉ结晶层上且经过退火处理的籽晶，和与所述籽晶晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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