【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用以形成磊晶成长膜的高分子积层基板及其制造方法。
技术介绍
以前磊晶成长膜形成用基板是使用结晶配向性优异的单晶硅(Si)、单晶砷化镓 (GaAs)、单晶蓝宝石(Al2O3)等单晶晶圆。但是，这些单晶晶圆是尺寸即便较大也为300πιπιΦ左右的砧板，无法通过象卷到卷方式的连续的生产方式进行成膜。另外，Si等也无强度，在制造步骤的搬送中，不容易操作而需要注意。另外，所述单晶晶圆由于无法对基板赋予柔性，而所使用的用途也受到限定。在所述单晶晶圆以外，使磊晶成长膜形成的基板已知将Ni、Cu、Ag、或这些金属的合金以高压下率进行冷延，对材料整体赋予均勻的应变后，通过热处理使其再结晶，而形成高度双轴结晶配向性的金属基板。其中，如专利文献1-专利文献5所示，提出Ni或Ni-W合金与其他金属材料的包层材料，但这些材料是中间层或超电导体层的成膜在大于等于600°C的高温下进行或降低饱和磁化、且使表面沿着(200)面结晶配向的材料，通常得不到普及，是特殊且高价的材料。专利文献1 日本专利第3601830号公报专利文献2 日本专利第3587956号公报专利文献3 :...
【技术保护点】
１．一种磊晶成长膜形成用高分子积层基板的制造方法，其特征在于：在高分子板上积层以压下率大于等于９０％进行冷延的包含Ｃｕ或Ｃｕ合金的金属箔，积层后通过热处理使所述金属箔进行双轴结晶配向。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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