通过本发明专利技术，提供分子不易结晶，制造有机电致发光元件时的成品率提高，寿命长的有机电致发光元件和实现该有机电致发光元件的芳香族胺衍生物，即特定结构的新型芳香族胺衍生物，以及在阴极与阳极之间夹持包含至少含有发光层的一层或多层的有机薄膜层的有机电致发光元件，以及在该有机薄膜层的至少一层，特别是空穴输送层含有下述芳香族胺衍生物，该芳香族胺衍生物具有２个以上的特定的杂环连接、特别是２个以上的特定杂环通过芳基连接而成的取代基通过芳基与胺键合而成的结构至少１个。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及芳香族胺衍生物以及使用该芳香族胺衍生物的有机电致发光(以下简称为有机EL)元件，特别是涉及通过将具有特定结构的芳香族胺衍生物用于空穴传输材料，即使在高温时也可以改善有机EL元件的寿命的芳香族胺衍生物。
技术介绍
有机EL元件为利用下述原理的自发光元件，所述原理为，通过施加电场，荧光性物质利用从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子的再结合能量而发光。Wfestman Kodak 公司的C. W. Tang等人报告通过层压型元件形成的低电压驱动有机EL元件(C. W. Tang, S. A. Vanslyke, Applied Physics Letters)，51 卷、913 页、1987 年等)以来，盛行对以有机材料作为构成材料的有机EL元件进行研究。Tang等人将三(8-羟基喹啉)铝用于发光层，将三苯基二胺衍生物用于空穴传输层。作为层压结构的优点，可以举出提高空穴向发光层的注入效率，提高阻断从阴极注入的电子、通过再结合而生成的激子的生成效率，关闭发光层内生成的激子等。如该例子所示，作为有机EL元件的元件结构，熟知空穴输送(注入) 层、电子输送发光层的双层型，或空穴输送(注入)层、发光层、电子输送(注入)层的三层型等。这种层压型结构元件中，为了提高所注入的空穴与电子的再结合效率，对元件结构、 形成方法进行了研究。通常若在高温环境下驱动、保存有机EL元件则产生发光颜色的变化、发光效率的降低、驱动电压的升高、发光寿命变短等不良影响。为了防止这些问题，有必要提高空穴输送材料的玻璃化转变温度(Tg)。因此，有必要使空穴输送材料的分子内具有很多芳香族基团(例如专利文献1的芳香族二胺衍生物、专利文献2的芳香族稠环二胺衍生物)，通常优选使用具有8 12个苯环的结构。但是，对于分子内具有很多芳香族基团的对称性高的化合物、平面性高的化合物中，使用这些空穴输送材料形成薄膜，制造有机EL元件时，易发生结晶，堵塞蒸镀中使用的坩锅的出口、或由于结晶而产生薄膜的缺陷，存在导致有机EL元件的成品率降低等问题。 此外，分子内具有很多芳香族基团的化合物，虽然通常玻璃化转变温度(Tg)高，但是认为升华温度高，产生蒸镀时的分解，蒸镀不均一地形成等现象，因此存在寿命短的问题。另一方面，作为杂环连接而成的单元与胺直接键合的胺化合物的报告，存在专利文献3，但是作为有机EL元件的性能不充分。此外，作为杂环直接连接而成的单元通过芳基与胺键合的胺化合物的报告，存在专利文献4-5，但是作为有机EL元件的性能不充分，专利文献5仅为化合物的例子，没有实施合成的例子、用作有机EL元件的例子。此外，作为2个胺通过芳基与杂环直接连接而成的取代基键合的二胺化合物的报告，存在专利文献6，但是作为有机EL元件的性能不充分。 此外，作为2个胺与通过芳基连接2个杂环而成的取代基直接键合的二胺化合物的报告，存在专利文献7，但是作为有机EL元件的性能不充分。作为杂环通过芳基连接而成的单元通过芳基与胺键合的胺化合物的报告，存在专利文献8，但是专利文献6，作为有机EL元件的性能不充分。如上所述，虽然存在效率高、寿命长的有机EL元件的报告，但是性能不充分，强烈期待开发具有更优异的性能的有机EL元件。现有技术文献专利文献专利文献1 美国专利第4720432号说明书专利文献2 美国专利第5061569号说明书专利文献3 日本特开2008-127290号公报专利文献4 日本特开2003-267972号公报专利文献5 :W02008/062636号公报专利文献6 日本特开2003-133075号公报专利文献7 :W02008/072596号公报专利文献8 日本特开平11-167990号公报。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供即使在高温下寿命也长的有机电致发光元件以及实现该有机电致发光元件的芳香族胺衍生物。本专利技术人为了达成上述目的而进行精心研究结果发现，使用具有特定的取代基的新型芳香族胺衍生物作为有机EL元件用材料，特别是作为空穴注入材料或空穴输送材料， 则可以解决上述问题。而且，具有2个以上杂环连接而成的单元的芳基作为取代基的胺化合物由于具有空间位阻，分子间的相互作用小，结晶得到抑制，可以提高制造有机EL元件的成品率。特别是含有具有2个以上杂环通过芳基连接而成的单元的芳基作为取代基的胺化合物，由于能隙(Eg)大，可以有效地阻断来自发光层的电子，因此抑制电子向空穴输送层注入，所以具有延长寿命的效果，特别是通过与蓝色发光元件组合，得到寿命显著长的效果。本专利技术人基于这些发现完成本专利技术。即，本专利技术提供以下技术方案。(1)芳香族胺衍生物，其特征在于，具有下述通式(1)所示的取代基， [(i) L1表示取代或未取代的成环碳原子数为6 50的亚芳基，(ii)L2表示单键、或取代或未取代的成环碳原子数为6 50的亚芳基，其中，L1和L2的任选的取代基为碳原子数为1 10的直链或支链的烷基、成环碳原子数为3 10的环烷基、碳原子数为3 30的三烷基甲硅烷基、各芳基的成环碳原子数为 6 10的三芳基甲硅烷基、碳原子数为8 M的烷基芳基甲硅烷基(芳基部分的成环碳原子数为6 14)、取代或未取代的成环碳原子数为6 30的芳基、卤原子或氰基，多个取代基可以相同或不同，(iii)A为下述通式(2) (5)中的任意一种连接基团，权利要求1.芳香族胺衍生物，其特征在于，具有下述通式(1)所示的取代基， 2.如权利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，上述A为上述通式( (4)中的任意一个所示的连接基团，上述B为上述通式(6) (8)中的任意一个所示的取代基。3.如权利要求1所述的芳香族胺衍生物，其中，上述L1为下述通式(10) (1 中的任意一个所示的连接基团，4.如权利要求1 3中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述L1为上述通式 (10) (12)中的任意一个所示的连接基团，上述L2为单键。5.如权利要求1 4中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述L1为亚苯基、亚联苯基、9，9- 二甲基亚芴基中的任意一种，上述L2为单键。6.如权利要求1 5中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述A为上述通式(2) 所示的连接基团。7.如权利要求1 5中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述A为上述通式(3) 所示的连接基团。8.如权利要求1 5中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述A为上述通式(4) 所示的连接基团。9.如权利要求1 5中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述A为上述通式(5) 所示的连接基团。10.如权利要求1 9中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述B为上述通式(6) 所示的取代基。11.如权利要求1 9中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述B为上述通式(7) 所示的取代基。12.如权利要求1 9中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述B为上述通式(8) 所示的取代基。13.如权利要求1 9中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其中，上述B为上述通式(9) 所示的取代基。14.如权利要求1 13中任意一项所述的芳香族胺衍生物，其用下述通式(1 (17) 中的任意一个表示，15.如权利要求14所述的芳香族胺衍生物，其为上述通式(13)。16.本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．芳香族胺衍生物，其特征在于，具有下述通式（１）所示的取代基，［化１］［（ｉ） Ｌ１表示取代或未取代的成环碳原子数为６～５０的亚芳基，（ｉｉ） Ｌ２表示单键、或取代或未取代的成环碳原子数为６～５０的亚芳基，其中，Ｌ１和Ｌ２的任选的取代基为碳原子数为１～１０的直链或支链的烷基、成环碳原子数为３～１０的环烷基、碳原子数为３～３０的三烷基甲硅烷基、各芳基的成环碳原子数为６～１０的三芳基甲硅烷基、碳原子数为８～２４的烷基芳基甲硅烷基（芳基部分的成环碳原子数为６～１４）、取代或未取代的成环碳原子数为６～３０的芳基、卤原子或氰基，多个取代基可以相同或不同，（ｉｉｉ） Ａ为下述通式（２）～（５）中的任意一种连接基团，［化２］［Ｒ１～Ｒ７分别独立地为与上述Ｌ１和Ｌ２的任选的取代基相同的取代基或为通式（－Ｌ２－Ｂ（Ｌ２的定义与上述相同，Ｂ的定义与下述Ｂ相同）），邻接的多个Ｒ１～Ｒ７可以分别键合形成饱和或不饱和的环，ｄ为０～４的整数，ａ、ｂ、ｃ、ｅ和ｆ分别独立地为０～３的整数，ｇ为０～２的整数，Ａｒ１表示取代或未取代的成环碳原子数为６～１４的芳基，其中，Ａｒ１的取代基分别独立地为与上述Ｌ１和Ｌ２的任选的取代基相同的取代基］，（ｉｖ） Ｂ为下述通式（６）～（９）中的任意一种取代基，［化３］［Ｒ８～Ｒ１４分别独立地为与上述Ｌ１和Ｌ２的任选的取代基相同的取代基或为通式（－Ｌ２－Ｂ（Ｌ２和Ｂ的定义与上述相同）），邻接的多个Ｒ８～Ｒ１４可以分别键合形成饱和或不饱和的环，ｉ、ｊ、ｋ和ｍ分别独立地为０～４的整数，ｈ、ｌ和ｎ分别独立地为０～３的整数，Ａｒ２表示取代或未取代的成环碳原子数为６～１４的芳基，其中，Ａｒ２的取代基分别独立地为与上述Ｌ１和Ｌ２的任选的取代基相同的取代基（其中芳基除外）以及苯基、联苯基、萘基、菲基中的任意一种，上述Ａ为通式（５）所示的连接基团时，Ｂ为上述通式（６）所示的取代基］］。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：薮之内伸浩，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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