有机半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机半导体装置及其制造方法。提供能够防止有机半导体层劣化的有机半导体装置。具备：基板(11)；在基板上形成的栅电极(12)；在栅电极上形成的栅绝缘膜(13)；在栅绝缘膜上形成的漏电极(14)；以包围漏电极的方式形成的环状的源电极(15)；形成于栅绝缘膜上的由源电极包围的区域的有机半导体层(17)；形成于栅绝缘膜上源电极的外侧的导电性引导部件(16)；以及在由导电性引导部件包围的区域形成的保护膜(18)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及作为有机薄膜晶体管等的。
技术介绍
以往以来，在液晶显示器或有机电致发光(EL)显示器等有源矩阵驱动型平板显示器(FPD)中，为了驱动像素使用了被称为薄膜晶体管(TFT)的开关元件。近年来，作为下一代FPD或电子纸等中的像素驱动等的开关元件，有机薄膜晶体管备受注目，以往以来提出了各种有机薄膜晶体管(例如，参照专利文献1)。以下，使用图13A及图1 对专利文献1所公开的以往的有机薄膜晶体管进行说明。图13A涉及以往的有机薄膜晶体管的俯视图、为表示漏电极、源电极以及栅电极的俯视图。图13B是沿图13A中示出的G-G’线剖切的以往的有机薄膜晶体管的剖视图。如图13A及图1 所示，以往的有机薄膜晶体管101具备基板111、在基板111上形成的圆形的栅电极112、在栅电极112上形成的栅绝缘膜113、在栅绝缘膜113上形成的圆形的漏电极114、以及在栅绝缘膜113上形成于漏电极114的周围的环状的源电极115。另外，以往的有机薄膜晶体管101，以填埋漏电极114和源电极115之间的方式，在包括漏电极114及源电极115的区域上形成了有机半导体层117。有机半导体层117通过从本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有机半导体装置，具备：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅绝缘膜，其形成于所述栅电极上；第１电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的任一方；环状的第２电极，其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的另一方的电极、并形成为包围所述第１电极；有机半导体层，其涂敷于所述栅绝缘膜上的、由所述环状的第２电极包围的区域以使其覆盖所述第１电极，并由所述环状的第２电极规定其外周；环状的导电性引导部件，其形成于所述栅绝缘膜上、所述环状的第２电极的外侧；以及对所述有机半导体层进行保护的保护膜，其涂敷于由所述环状的导电性引导部件包围的区域以使其覆盖所述有机半导体层，并由所述环状的导电性引导部件规定其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：受田高明，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP