发光器件制造技术

本发明专利技术涉及发光器件。本发明专利技术提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明专利技术，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造方法，特别是，本专利技术涉及一种发光器件，它包括一个形成在具有绝缘表面的衬底上的有机发光器件(OLED)。本专利技术还涉及一个OLED组件，其中包括一个控制器或诸如此类的IC，被安装在OLED板上。注意，在本说明书中，发光器件包括OLED板和OLED组件。使用发光器件的电子设备也包括在本专利技术之中。注意，在本说明书中，术语“半导体器件”一词通常表示能利用半导体特性起作用的器件，发光器件，电-光器件，半导体电路和电子器件统统包括在半导体器件之中。
技术介绍
近来，在一个衬底上形成TFT(薄膜晶体管)的技术有了很大进步，它在有源矩阵显示器上的应用正被积极研制。特别是，使用多晶硅薄膜的TFT比传统的使用非晶硅薄膜的TFT具有更高的场效应迁移率(也称迁移率)，因此，它能够快速操作。因此，由使用多晶硅薄膜的TFT组成的驱动电路被提供在和象素相同的一个衬底上，控制各个象素的研究正在积极进行。由于在一个衬底上驱动电路和象素被合并入有源矩阵显示器中，就存在许多优点，例如，成本降低，显示器小型化，产量提高，生产能力提高。此外，具有自发光元件OLED的有源矩阵发光器件(本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有发光元件的发光器件，发光元件包括：阴极；与阴极接触的有机化合物层；和与有机化合物层接触的阳极；其中，连接到发光元件的ＴＦＴ的沟道宽度Ｗ与其沟道长度Ｌ之比是０．１到０．０１。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宇田川诚，早川昌彦，小山润，纳光明，安西彩，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP