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薄膜晶体管和显示装置制造方法及图纸

技术编号:7053214 阅读:238 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管以及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括:栅极;氧化物半导体膜,其具有面向栅极的沟道区,并且具有在沟道区的一侧的源极区和在沟道区的另一侧的漏极区;层间绝缘膜,其设置为与氧化物半导体膜接触,且具有连接孔,并且包括有机树脂膜;以及源极和漏极,它们分别经由连接孔而连接于源极区和漏极区。本发明专利技术的薄膜晶体管可抑制由层间绝缘膜引起的故障并提高自对准结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)以及一种包括该TFT的显示装置。
技术介绍
在采用有源驱动系统的液晶显示器或有机EL(电致发光)显示器中,使用薄膜晶体管作为驱动元件,并且将与用于写入图像的信号电压对应的电荷保持在保持电容中。然而,当在薄膜晶体管的栅极与源极或漏极之间的交叉区域中存在的寄生电容变大时,信号电压波动,这可导致图像质量的恶化。具体来说,在有机EL显示器中,当寄生电容大时,也期望使保持电容大,并且使像素布局中的布线等的比例增大。因此,发生各布线间的短路等的概率增大,从而可降低产率。因此,对于将例如氧化锌(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等氧化物半导体用作沟道的薄膜晶体管,人们一直在尝试减小栅极与源极或漏极之间的交叉区域中形成的寄生电容。例如,文献1和文献2各描述了自对准顶栅型薄膜晶体管。在该薄膜晶体管中, 在氧化物半导体薄层的沟道区上,以相同形状形成栅极和栅极绝缘膜,然后,通过减小未被氧化物半导体薄层的栅极和栅极绝缘膜所覆盖的区域的阻抗而形成源漏区域。此外,文献 3中描述了具有自对准结构的底栅型薄膜晶体管,其中,通过使用栅极作为掩模进行背曝光 (b本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管,其包括:栅极;氧化物半导体膜,其具有面向所述栅极的沟道区,并且具有在所述沟道区的一侧的源极区和在所述沟道区的另一侧的漏极区;层间绝缘膜,其设置为与所述氧化物半导体膜接触且具有连接孔,并包括有机树脂膜;和源极和漏极,它们分别经由所述连接孔而连接于所述源极区和所述漏极区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:诸沢成浩
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:JP

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