薄膜晶体管和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了薄膜晶体管和显示装置，其中该薄膜晶体管包括：栅电极、源电极、漏电极、形成在栅电极上的氧化物半导体有源层、形成在氧化物半导体有源层的一部分上的固定电荷蓄积层、形成在固定电荷蓄积层上的固定电荷控制电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示直ο
技术介绍
氧化物半导体，例如氧化锌和氧化锌铟镓(IGZO)具有作为半导体器件的有源层的优越特性，并且近年来已经发展施加至TFT、发光器件、透明导电薄膜等。例如，氧化物半导体TFT比已经在液晶显示装置中应用的具有非晶硅(a_Si:H)沟道的TFT具有更高的电子迁移率，并且因此具有优越的电气特性。此外，可以预期即使在室温左右的低温下形成的沟道也具有高迁移率。然而，氧化物半导体没有足够的耐热性。众所周知，在TFT制造过程中通过热处理将氧原子、锌原子等分散在氧化物半导体中来形成晶格缺陷。该晶格缺陷产生浅杂质水平以降低氧化物半导体层的电阻。因此，在具有氧化物半导体有源层的TFT中，即使未施加栅极电压(常开操作或耗尽操作)也有漏极电流流过。因此，随着缺陷水平的增加阈值电压降低，并且因此漏极电流增大。据报道，氢是一种可以在氧化物半导体中产生浅杂质水平的元素(例如，Cetin Kilic等,“n-Type doping of oxides by hydrogen",Applied Physics Letters,第8本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管，包括：栅电极、源电极和漏电极；氧化物半导体有源层，形成在所述栅电极上；固定电荷蓄积层，形成在所述氧化物半导体有源层的一部分上；以及固定电荷控制电极，形成在所述固定电荷蓄积层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：寺井康浩，福本绘理，荒井俊明，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP