一种非晶薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物薄膜晶体管(Metal?oxide?thin?film?transistor，MOTFT)的制备工艺。首先，采用最优O含量的有源层来提高MOTFT的EBS稳定性。其次，采用掺Mg有源层来提高MOTFT的UV光稳定性。最后，采用富In2O3或纯ZnO有源层来提高MOTFT的迁移率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属氧化物薄膜晶体管(Metal oxide thin film transistor, MOTFT)及其制备方法。
技术介绍
当前，具有制备成本低、电学性能优良和透明等优点的M0TFT，极有可能成为新一代的主流TFT技术，将在有源平板显示(Active-matrix flat panel display, AM-FPD)领域得到大量的应用。但MOTFT的缺点是易吸收或脱附0、!1和!120有关的分子，这些因素改变透明氧化物半导体(Transparent oxide semiconductor,T0S)的电子浓度(Ne)而影响TFT 的稳定性。MOTFT的电致偏应力(Electrical bias stress,EBS)稳定性和p_Si TFT相比还有差距。研究认为HfIn ZnO-TFT及&InZn0-TFT的^S稳定性远远高于a_IGZ0 TFT，但各元素对稳定性影响的物理机制缺乏深入的分析。这是当前a-IGZO TFT产业化研究的焦点。 因为，如有源有机发光二极管(Active matrix organic light emitting diode,本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＭＯＴＦＴ，其特征在于：采用Ｏ含量优化的有源层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚建可，张盛东，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：94