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本发明涉及有机半导体装置及其制造方法。提供能够防止有机半导体层劣化的有机半导体装置。具备：基板(11)；在基板上形成的栅电极(12)；在栅电极上形成的栅绝缘膜(13)；在栅绝缘膜上形成的漏电极(14)；以包围漏电极的方式形成的环状的源电极(...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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