固体摄像器件制造技术

固体摄像器件的像素(11)具备：第1导电型的第1半导体层(1)，形成于衬底上；第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层(2)；第1导电型的第3半导体层(5a、5b)，形成于第2半导体层(2)的上部侧面区域；第2导电型的第4半导体层(6a、6b)，形成于第3半导体层(5a、5b)的外侧面区域；栅极导体层(4a、4b)，隔着绝缘膜(3a、3b)而形成于第2半导体层(2)的下部侧面区域；以及第2导电型的第5半导体层(7)，形成于第2半导体层(2)和第3半导体层(5a、5b)的上面；且第5半导体层(7)和第4半导体层(6a、6b)为相连接，且至少第3半导体层(5a、5b)、第2半导体层(2)的上部区域、第4半导体层(6a、6b)、以及第5半导体层(7)形成于岛状形状内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
１．一种固体摄像器件，具有１个或多个像素，其中，前述像素由下列构件所构成：第１半导体层，形成于衬底上；第２半导体层，形成于前述第１半导体层上；第１绝缘膜，形成于前述第２半导体层的下部的侧面；栅极导体层，隔着前述第１绝缘膜而形成于前述第２半导体层的下部的侧面；第３半导体层，形成于前述第２半导体层的上部的侧面；第４半导体层，形成于未和前述第２半导体层的侧面相对向的前述第３半导体层的侧面；以及第５半导体层，形成于前述第２半导体层和前述第３半导体层的上部，且和前述第４半导体层作电性连接，至少前述第３半导体层、前述第２半导体层中形成有前述第３半导体层的上部区域、前述第４半导体层、以及前述第５半导体层形成...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：舛冈富士雄，原田望，
申请(专利权)人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司，
类型：发明
国别省市：SG