摄像器件制造技术

本发明专利技术公开了一种摄像器件。所述摄像器件包括：多个第一像素，所述多个第一像素每一者均包含光电二极管和像素内晶体管，并且设置有对入射至对应的所述第一像素的光的一部分进行遮光的遮光金属膜；以及多个第二像素，所述多个第二像素每一者均包含光电二极管和像素内晶体管，并且未设置有遮光金属膜。所述摄像器件的特征在于，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光电二极管每一者均被金属框架包围着。根据本发明专利技术，能够提供在不影响焦点检测精度和图像质量等的前提下具有低成本和高自由度的摄像器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及摄像器件，具体地，涉及ー种被设计成在不影响焦点检测精度和图像质量等的前提下具有低成本和高自由度的摄像器件。
技术介绍
过去，已经提出了包含有均形成在一个芯片上的用于输出摄像信号的像素(下文中称为普通像素)和用于检测焦距的像素(下文中称为AF(自动对焦)像素)的摄像器件(例如參见日本专利申请特开第2000-292686号公报)。根据日本专利申请特开第2000-292686号公报中所披露的技术，在摄像器件的芯片上的多个区域中形成有光瞳分割(pupil-division)微透镜以及用于接收光瞳分割光的成对的受光元件等，并且基于受光元件的输出来进行焦点检测。这使得能够在不添加例如新机构或光学系统从而节省了空间的同时提供更宽的焦点检测区域，还能够提高AF速度并且执行准确的对焦。另外，为了提高焦点检测精度，必须用入射光从恒定方向上照射AF像素。为此原因，已经提出了采用例如如下结构的技术方案该结构中，在AF像素的一部分上设置有遮光膜(例如，參见日本专利申请特开第2009-105358号公报)。根据日本专利申请特开第2009-105358号公报的技术，具有开ロ的遮光膜被布置在AF像素的光入射侧，并且该开ロ规定了这样的区域入射光通过该区域而入射至光电转换部。因此，AF像素的光电转换部选择性地接收通过摄影镜头的出射光瞳之中的某个区域(该区域从出射光瞳的中心在-Y方向上实质上偏心)而射过来的光束，并进行光电转换。然而，当在AF像素的一部分上布置有遮光膜吋，AF像素的电容(也就是说，AF像素的转换效率)可能依赖于遮光膜的布置位置或遮光膜的形状而改变。也即是，各个AF像素间存在着电特性差异。此外，在上述摄像器件中，跟AF像素相邻的普通像素的电特性可能由于布置在该AF像素上的遮光膜的影响而改变。也即是，跟AF像素相邻的普通像素与不跟该AF像素相邻的另一普通像素之间出现了电特性差异。于是，AF像素间的电特性差异可能导致所输出的焦距检测用信号的差异，从而导致焦点检测精度的下降。另外，普通像素间的电特性差异可能造成所输出的摄像用信号的差异，从而导致图像质量的显著下降。此外，在现有的技术中，如上所述，由干与AF像素相邻的普通像素的电特性可能依赖于该AF像素的存在而改变,所以不能在像素阵列中自由地布置AF像素。
技术实现思路
鉴于上述原因，期望提供一种被设计成在不影响焦点检测精度和图像质量等的前提下具有低成本和高自由度的摄像器件。本专利技术的实施例提供了一种摄像器件，所述摄像器件包括多个第一像素，所述多个第一像素每ー者均包含光电ニ极管和像素内晶体管，并且设置有对入射至对应的所述第一像素的光的一部分进行遮光的遮光金属膜；以及多个第二像素，所述多个第二像素姆ー者均包含光电ニ极管和像素内晶体管，并且未设置有遮光金属膜。各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光电ニ极管每一者均被金属框架包围着。可以按照如下方式来设置所述多个第一像素和所述多个第二像素在所述多个第一像素和所述多个第二像素每ー者中，跟某个所述像素内晶体管的端子相连接的配线的ー部分与相邻像素的所述金属框架之间的距离是恒定的。 可以按照如下方式来设置所述多个第一像素和所述多个第二像素在所述多个第一像素和所述多个第二像素每ー者中，把各所述像素内晶体管之中的用于将电荷转换为电压信号的那个所述像素内晶体管的栅极端子跟电路中的浮动扩散部(floatingdiffusion ；FD)连接起来的配线与相邻像素中的所述金属框架之间的距离是恒定的。所述遮光金属膜和所述金属框架可以由用于形成把各所述像素内晶体管的预定端子连接起来的配线的同一金属膜制成。所述第一像素被设置用来检测焦距，并且所述第二像素被设置用来输出摄像信号。根据本专利技术的上述实施例，设置有多个第一像素和多个第二像素。所述多个第一像素每ー者均包含光电ニ极管和像素内晶体管并且设置有对入射至对应的所述第一像素的光的一部分进行遮光的遮光金属膜。所述多个第二像素姆ー者均包含光电ニ极管和像素内晶体管并且未设置有遮光金属膜。此外，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光电ニ极管姆一者均被金属框架包围着。根据本专利技术的上述实施例，能够提供在不影响焦点检测精度和图像质量等的前提下具有低成本和高自由度的摄像器件。附图说明图1图示了具有普通像素和AF像素的摄像器件的一种结构；图2图示了具有普通像素和AF像素的摄像器件的另ー结构；图3图示了普通像素的结构和AF像素的结构；图4A和图4B图示了普通像素的电路结构；图5A和图5B图示了普通像素的电路结构；图6A和图6B图示了 AF像素的电路结构；图7图示了在现有的包含普通像素和AF像素的摄像器件中的电路布局；图8图示了当采用本专利技术的实施例时在包含普通像素和AF像素的摄像器件中的电路布局。具体实施例方式下面，将參照附图来详细说明本专利技术的实施例。首先，将说明摄像器件的结构。过去，已经提出了包含有用于输出摄像信号的像素(下文中称为普通像素)和用于检测焦距的像素(下文中称为AF(自动对焦)像素)的摄像器件。图1图示了包含有普通像素和AF像素的摄像器件的结构。如图1中所示，在摄像器件10中，交替地布置有普通像素的行和AF像素的行，各普通像素以图1中的写有“N”的矩形来表示，各AF像素以图1中的写有“AF”的矩形来表示。此外，在另ー示例中，普通像素和AF像素可以被布置为如图2中所示。在如图2中所示的摄像器件20中，在布置了一行AF像素之后，布置两行普通像素。 另外，存在这样的摄像器件其中，在一行AF像素之后，布置三行、四行或更多行普通像素。此外，也能够采用如下的结构其中，在一行普通像素之后，布置两行、三行或更多行AF像素。图3图示了普通像素的结构和AF像素的结构。图3的左边部分图示了普通像素51。如该图中所示，普通像素51是由光电ニ极管51a和片上透镜(on-chip lens)51b形成的。在该图中，假设该图的上侧为光电ニ极管的受光面，并且该光电ニ极管被设置用来产生与进入受光面的入射光的強度相对应的电流。此夕卜，当需要时，在光电ニ极管51a的受光面上设置有滤色器等。图3的右边部分图示了 AF像素52。如该图中所示，AF像素52包括光电ニ极管52a、片上透镜52b和遮光膜52c。在该图中，假设该图的上侧为光电ニ极管的受光面，并且该光电ニ极管被设置用来产生与进入受光面的入射光的強度相对应的电流。此外，当需要时，在光电ニ极管52a的受光面上设置有滤色器等。为了提高焦点检测精度，必须用入射光从恒定方向上照射AF像素。为此，在AF像素52上设置有遮光膜52c。遮光膜52c以如下方式设置着其对在特定方向上向光电ニ极管52a的受光面入射的光进行遮光。作为遮光膜52c的示例，可以使用也用来形成电路板上的配线图形的铜膜。通过这样的设置，在用来形成驱动电路等的配线的图形化工序中，同时也将遮光膜图形化。这使得能够在不増加特殊的制造エ序的前提下制造出包含普通像素和AF像素的摄像器件。顺便提及地，图3中所示的结构是示意性结构。在实际的普通像素和AF像素中，还设置有像素内晶体管等。接着，将參照图4A至图6B来说明现有的普通像素或AF像素的具体结构。图4A和图4B图示了普通像素的电路结构。图4A是普通像素的电路图，而图4B是普通像素的电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像器件，所述摄像器件包括：多个第一像素，所述多个第一像素每一者均包含光电二极管和像素内晶体管，并且设置有对入射至对应的所述第一像素的光的一部分进行遮光的遮光金属膜；以及多个第二像素，所述多个第二像素每一者均包含光电二极管和像素内晶体管，并且未设置有遮光金属膜，其特征在于，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光电二极管每一者均被金属框架包围着。

【技术特征摘要】
2011.09.26 JP 2011-2091021.一种摄像器件，所述摄像器件包括 多个第一像素，所述多个第一像素每一者均包含光电二极管和像素内晶体管，并且设置有对入射至对应的所述第一像素的光的一部分进行遮光的遮光金属膜；以及 多个第二像素，所述多个第二像素每一者均包含光电二极管和像素内晶体管，并且未设置有遮光金属膜， 其特征在于，各所述第一像素或各所述第二像素中含有的所述光电二极管每一者均被金属框架包围着。2.根据权利要求1所述的摄像器件，其特征在于，所述多个第一像素和所述多个第二像素以如下方式设置着在所述多个第一像素和所述多个第二像素每一者中，跟某个所述像素内晶体管的端子相连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：安达雄大，饭塚哲也，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：