【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅太阳电池湿法刻蚀设备领域，特别是一种湿法刻蚀槽。
技术介绍
采用HF/HN03体系对太阳电池损伤层进行刻蚀，减少发射极的复合。对于相对较薄的损伤层，刻蚀量需适中，刻蚀太多容易导致反射率下降，太少损伤层不能完全移除。而一般的清洗循环方式都是内外槽单管循环，如附图说明图1所示，在内外槽药液循环装置的内槽出口位置流量较内槽其他位置相对较大，在流量较大位置刻蚀量较大，这样就导致同片硅片刻蚀不均勻。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种湿法刻蚀槽，提高药液流量在内槽的分布均勻性。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种湿法刻蚀槽，包括内槽、外槽和内外槽药液循环装置，在内槽的槽体内安装沿槽体延伸的带孔的管路，管路上的孔沿管路分布，管路与内外槽药液循环装置的出口连通。带孔的管路安装在槽体两侧，管路上的孔沿管路均勻分布。本技术的有益效果是该方法改用从内槽的旁侧安装带孔的管路，让药液通过这种管路的孔洞内进入内槽，这样药液流量在内槽能均勻分布，改善刻蚀的均勻性。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明；图1是改造前的结构示意图；图2是改造后的结构示意图；图3是本技...
【技术保护点】
１．一种湿法刻蚀槽，包括内槽（１）、外槽（２）和内外槽药液循环装置（５），其特征是：在所述的内槽（１）的槽体内安装沿槽体延伸的带孔的管路（３），管路（３）上的孔（４）沿管路分布，管路（３）与内外槽药液循环装置（５）的出口连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶权华，肖杨鑫，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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