一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法技术

一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法涉及太阳能应用技术领域。电池是按背板钢化玻璃层、PVB或EVA层、晶硅电池层、PVB或EVA层、AZO层、非晶硅层、TCO层和玻璃基板依次排列制成，制备方法包括在玻璃基板上制备TCO；TCO膜层激光刻划；制备PIN电池层；制备电池背电极；刻划背电极；引出正负电极；铺设PVB或者EVA；铺设单晶硅或多晶硅太阳能电池片；铺设PVB或EVA；叠片。通过该方法可以实现非晶硅太阳能电池与晶体硅太阳能电池对光谱吸收特性的互补，从而达到对太阳能量的充分利用，使得太阳能电池的转化效率更高，可由目前晶硅转换效率的15%增加到20～25%，使太阳能电池的应用更加广泛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能应用
，具体涉及一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池的制备方法。
技术介绍
目前市场上广为流传的是非晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池及单晶硅太阳电池， 由于非晶硅、单晶硅和多晶硅都有不同的带隙，对太阳光的吸收在不同的光谱范围。这样就造成单一太阳电池对太阳光不能充分吸收，从而使得太阳电池的转换效率偏低，如何能把两种或者三种太阳电池集合到一起，达到对太阳光的充分吸收，从而使得电池的转换效率得到提升是目前面临的一个难题。还存在对太阳能量的利用不够充分及转化效率不够高的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述问题提供。本专利技术的技术解决方案是太阳能电池是按背板钢化玻璃层、PVB或EVA层、晶硅电池层、PVB或EVA层、AZO层、非晶硅层、TCO层和玻璃基板(超白浮法玻璃)依次排列制成， 制备方法包括以下步骤a.用LPCVD或磁控溅射在玻璃基板上制备TCO ；b.对玻璃基板上的TCO膜层激光刻划，制造子电池；c.在TCO膜层上制备PIN电池层；d.激光刻划PIN电池膜层；e.用磁控溅射制备电池背电极，包括ΑΖ0、Ag膜层；f.激光刻划背电极，激光清边机清边本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种非晶硅晶体硅结合型太阳能电池及其制备方法，其特征在于，太阳能电池是按背板钢化玻璃层、ＰＶＢ或ＥＶＡ层、晶硅电池层、ＰＶＢ或ＥＶＡ层、ＡＺＯ层、非晶硅层、ＴＣＯ层和玻璃基板依次排列制成，制备方法包括以下步骤：ａ、用ＬＰＣＶＤ或磁控溅射在玻璃基板上制备ＴＣＯ；ｂ、对玻璃基板上的ＴＣＯ膜层激光刻划，制造子电池；ｃ、在ＴＣＯ膜层上制备ＰＩＮ电池层；ｄ、激光刻划ＰＩＮ电池膜层；ｅ、用磁控溅射制备电池背电极，包括ＡＺＯ、Ａｇ膜层；ｆ、激光刻划背电极，激光清边机清边；ｇ、引出正负电极，用超声波焊接机焊接汇流条、引流条；ｈ、铺设ＰＶＢ或者ＥＶＡ；ｉ、铺设单晶硅或多晶硅太阳能电池片，焊接电极，并引出导线...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甄雁卉，李鹏，林宏达，王恩忠，
申请(专利权)人：牡丹江旭阳太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：23