一种硅片清洗干燥方法技术

本发明专利技术涉及一种硅片清洗干燥方法，其具体如下工艺步骤：(一)、对一多晶棒或单晶棒切片后，经预清洗，清洗后的潮湿硅片进入清洗机；(二)、在清洗机的末端清洗槽中加入70℃至80℃纯水；(三)、将在清洗机中经过前道清洗洗净后的潮湿的硅片浸入70℃至80℃纯水中3至4分钟，慢慢提出；(四)、进入烘箱中高温风干为干燥硅片；(五)、干燥硅片经过分选、测试等工序便可包装成成品。该硅片的清洗干燥方法根本技术革新在于：1、使用热纯水代替了切水剂，从根本上消除了企业的安全隐患；2、通过使用热水的方法使硅片变热，从而进入烘箱时，更易干燥；3、通过使用纯净热水，相当于增加了一道清洗，使发生脏片的概率更低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
目前在硅片清洗中，主要采用离心甩动干燥和切水剂分离干燥。1 离心甩动干燥须要专人把潮湿的硅片从清洗槽中取出，且需要一台提供压缩空气的油压机，高压气体从中间吹击四周硅片，保证水能从硅片上顺利飞离。此方法每台设备需要多一名员工操作，且在实际生产过程中很易将压缩机机中的油经过空气喷射到硅片上，形成脏片。此脏片在目测检测时很难发现，需要至电池端到酸液或者碱液中制绒后，方可显现出来，产生的报废片较多。且离心甩干机在拿放多晶硅片至其中时特别不方便，经常造成不必要的破片。2 切水剂分离干燥首先切水剂为碳氢化合物，易燃易爆，使用时安全隐患很大， 使用后处理对坏境污染有一定影响，且需要人工每2小时对下部脏水排出，在槽中加入新切水剂(一般每升切水剂8到10人民币，每洗1. 5万片大约需要20升)；对劳动力有一定占用，生产投入较大。现在国内外行业内尚无同时解决清洗后硅片干燥所带来的脏片无法检测、劳动力浪费、无隐患生产以及成本较高的积极有效方法的报道。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，消除生产过程中的安全隐患，降低生产成本，降低硅片清洗破片率、脏片率和后续电池加工的报废率。本专利技术解决其技术问题所采用的方案是，其特征是具体如下工艺步骤(一 )、对一多晶棒或单晶棒切片后，经预清洗，清洗后的潮湿硅片进入清洗机；( 二)、在清洗机的末端清洗槽中加入70°C至80°C纯水；(三)、将在清洗机中经过前道清洗洗净后的潮湿的硅片浸入70°C至80°C纯水中 3至4分钟，慢慢提出；(四)、进入烘箱中高温风干为干燥硅片；(五)、干燥硅片经过分选、测试等工序便可包装成成品。本专利技术的有益效果是该硅片的清洗干燥方法根本技术革新在于1、使用热纯水代替了切水剂，从根本上消除了企业的安全隐患，降低了人员的工作量和在加切水剂时产生的不必要的破片，且使用后的纯水可以直接排出，对环境无任何污染；2、通过使用热水的方法使硅片变热，从而进入烘箱时，更易干燥；3、通过使用纯净热水，相当于增加了一道清洗，使发生脏片的概率更低，且通过使用水为清洗剂清洗，对油污等近乎无任何溶解性，当出现硅片车间经常出现的油污片时，很易发现，降低硅片车间的脏片率，为硅片在电池端的良率进一步提供了保证。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明；图1是本专利技术的用于硅片清洗干燥的纯水加热装置的结构示意图；图中，1、加热管、2.预加热管，3、储液箱，4、第7#槽。具体实施例方式，该生产方法如下(一 )、对一多晶棒或单晶棒切片后，送至预清洗进行清洗。预清洗一共四槽①第一槽采用0. 1 0. 2ΜΙ^喷淋水压喷淋，主要为了把清水射进硅片之间，把硅片之间的砂浆进行一个初期的清洗；②第姊和3#槽采用清水溢流，并在槽底装有超声震板，主要为了把喷淋下来的还附在硅片表面的砂浆，溢流清洗；③第4#槽为脱胶槽，溶液为50%乳酸对50%清水，溶液多少按照槽的大小来定.主要为把硅片与玻璃板粘接的胶软化，从而使硅片和玻璃板分离。( 二)、从预清洗出来后，预清洗操作员工把脱完胶的硅片抱入清洗机的插片槽。 清洗操作员工把待清洗硅片，插入片盒中，再按规定装入铁篮中，进入设备中进行清洗。清洗机一共7槽，当然在此并不限定只有7个槽①第1#和2#采用清水溢流，且在槽底装有超声震板。目的把片盒中，分开后硅片表面的砂浆进行清洗。②第3#和4#为清洗剂，清洗剂成分为ΥΖ-16和NaOH两种，槽下装有超声震板。目的把硅片切割时，线痕纹理中的砂浆进行清洗。③第5#和6#槽为纯水溢流，槽下装有超声震板。目的把硅片表面清洗后，残留在硅片表面的清洗液清洗干净。(三)、因清洗机采用为水溶液清洗，为了保证从纯水中出来的硅片迅速蒸发烘干，不在硅片表面因长时间堆积，形成水印等脏片，把第6#槽洗净的硅片，浸入到清洗机末道的第7#槽4的热纯水中。(四)、为保证第7#槽4为热的纯水，可在水槽下部加装两根加热管1。(五)、为保证槽中纯水在有一定溢流的情况下保持70°C至80°C，可以在进水口， 加装一个储液箱3，在储液箱3中加入三到四根预加热管2，使从管道中出来的冷纯水，先经过储液箱3预加热到一定温度。(六)、为了使硅片从第7#槽4中出来时，尽可能多的，快速的把表面的水挥发，在第7#槽4后面加装一个提拉电机，使硅片从第7#槽4出来时，慢慢上升，保证在硅片露出水面部分，水分蒸发时，下部浸在水中的部分，温度并未降低。(七)、从第7#槽4热纯水中出来后进入烘箱中高温风干为干燥硅片。(八)、从烘箱出来后经分选、测试等工序便可包装成成品。权利要求1. ，其特征是 具体如下工艺步骤(一)、对一多晶棒或单晶棒切片后，经预清洗，清洗后的潮湿硅片进入清洗机；(二)、在清洗机的末端清洗槽中加入70°c至80°C纯水；(三)、将在清洗机中经过前道清洗洗净后的潮湿的硅片浸入70°C至80°C纯水中3至 4分钟，慢慢提出；(四)、进入烘箱中高温风干为干燥硅片；(五)、干燥硅片经过分选、测试等工序便可包装成成品。全文摘要本专利技术涉及，其具体如下工艺步骤(一)、对一多晶棒或单晶棒切片后，经预清洗，清洗后的潮湿硅片进入清洗机；(二)、在清洗机的末端清洗槽中加入70℃至80℃纯水；(三)、将在清洗机中经过前道清洗洗净后的潮湿的硅片浸入70℃至80℃纯水中3至4分钟，慢慢提出；(四)、进入烘箱中高温风干为干燥硅片；(五)、干燥硅片经过分选、测试等工序便可包装成成品。该硅片的清洗干燥方法根本技术革新在于1、使用热纯水代替了切水剂，从根本上消除了企业的安全隐患；2、通过使用热水的方法使硅片变热，从而进入烘箱时，更易干燥；3、通过使用纯净热水，相当于增加了一道清洗，使发生脏片的概率更低。文档编号F26B3/06GK102313440SQ201110185248公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月4日 优先权日2011年7月4日专利技术者葛荣保, 贺洁 申请人:常州天合光能有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅片清洗干燥方法，其特征是：具体如下工艺步骤：（一）、对一多晶棒或单晶棒切片后，经预清洗，清洗后的潮湿硅片进入清洗机；（二）、在清洗机的末端清洗槽中加入７０℃至８０℃纯水；（三）、将在清洗机中经过前道清洗洗净后的潮湿的硅片浸入７０℃至８０℃纯水中３至４分钟，慢慢提出；（四）、进入烘箱中高温风干为干燥硅片；（五）、干燥硅片经过分选、测试等工序便可包装成成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贺洁，葛荣保，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32