一种多芯片带保护功能二极管制造技术

一种多芯片带保护功能二极管。涉及对露天使用的二极管结构的改进。能最大限度避免雷电影响，进而能提高整体发电性能可靠性。包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，芯片包括一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片；一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片通过正极引线和负极引线构成并联连接。本实用新型专利技术采用一个ZNR芯片作为保护元件，采取并联式的连接模式构成了能适用于露天，能最大限度防止雷电侵袭的二极管。工作时，并联的多个二极管芯片、ZNR芯片同时保持工作状态，遇有雷电时，ZNR芯片能起到一定的保护作用；在ZNR芯片不足以产生保护作用时，多芯片带保护功能二极管芯片中也只会损坏1块，过后仍能保持后续的正常工作。?（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及对二极管结构的改进，尤其涉及对露天使用的二极管结构的改进。
技术介绍
随着太阳能技术的发展，对太阳能转化的技术已经由最原始的热能吸收，发展到现在的光电转换，即利用太阳能电池板将太阳能转化为电能。规模化太阳能发电场合，不仅需要由高性能的电池板，还需要有高性能的半导体元器件。目前，在太阳能发电
， 需采用到多芯片带保护功能二极管，如图4、5所示，它包含一多芯片带保护功能二极管芯片2。但由于太阳能采集装置一般是直接放置在露天，并且大规模电池板阵列中可能涉及到若干数量的二极管，维保人员难以对每个电池板及其附件进行在线检测，只能是定期地对全部太阳能电池板装置进行检测。在遇有雷电时，由于现有的多芯片带保护功能二极管产品体积较大，在雷击或静电的干扰下，容易产生失效。大规模电池板阵列中的一些多芯片带保护功能二极管二极管可能被击穿，导致部分电池板无法正常工作，使得整体电池板阵列的发电性能受到影响。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了一种能最大限度避免雷电影响，进而能提高整体发电性能可靠性的多芯片带保护功能二极管。本技术的技术方案是包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，所述芯片包括一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片；所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片通过所述正极引线和负极引线构成并联连接。所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片相互平行；所述正极引线和负极引线分别设有正极工作面和负极工作面；所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片的正极面分别连接所述正极工作面；所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片的负极面分别连接所述负极工作面。本技术采用一个ZNR芯片(zinc oxide nonlinear resistor，氧化锌非线性电阻，即压敏电阻，用于避雷器、电路中浪涌能量的吸收、过压保护等)作为保护元件，采取并联式的连接模式构成了能适用于露天，能最大限度防止雷电侵袭的二极管。工作时，并联的多个二极管芯片、ZNR芯片同时保持工作状态，遇有雷电时，首先，ZNR芯片能起到一定的保护作用；在ZNR芯片不足以产生保护作用时，多芯片带保护功能二极管芯片中也只会损坏1块，过后仍能保持后续的正常工作。本技术的二极管能最大限度避免雷电影响，提高产品抗雷及抗静电击水平，提高太阳能发电装置整体的可靠性。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是图1的仰视图；图3是本技术的原理图；图中1正极引线，10是正极工作面，21是多芯片带保护功能二极管芯片一，22是多芯片带保护功能二极管芯片二，23是多芯片带保护功能二极管芯片三，24是ZNR芯片，3是封装体，4是负极引线，40是负极工作面。图4是本技术
技术介绍
的结构示意图；图5是本技术
技术介绍
的原理图。具体实施方式本技术如图1-3所示，包括正极引线1、负极引线4、芯片和封装体3，所述芯片包括一块ZNR芯片M和两块或三块二极管芯片(本例采用了三块，多芯片带保护功能二极管芯片一 21、多芯片带保护功能二极管芯片二 22和多芯片带保护功能二极管芯片三23); 所述一块ZNR芯片M和至少两块二极管芯片通过所述正极引线1和负极引线4构成并联连接。所述一块ZNR芯片M和两块或三块二极管芯片相互平行；所述正极引线1和负极引线4分别设有正极工作面10和负极工作面40 ；所述一块ZNR芯片M和两块或三块二极管芯片的正极面分别连接所述正极工作面10 ；所述一块ZNR芯片M和两块或三块二极管芯片的负极面分别连接所述负极工作面40。本例在制作时，通过两个引线框并联四颗芯片，3只二极管芯片(多芯片带保护功能二极管芯片一 21、多芯片带保护功能二极管芯片二 22和多芯片带保护功能二极管芯片三23)，1只ZNR芯片24。权利要求1.一种多芯片带保护功能二极管，包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，其特征在于，所述芯片包括一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片；所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片通过所述正极引线和负极引线构成并联连接。2.根据权利要求1所述的一种多芯片带保护功能二极管，其特征在于，所述一块ZNR 芯片和两块或三块二极管芯片相互平行；所述正极引线和负极引线分别设有正极工作面和负极工作面；所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片的正极面分别连接所述正极工作面；所述一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片的负极面分别连接所述负极工作面。专利摘要一种多芯片带保护功能二极管。涉及对露天使用的二极管结构的改进。能最大限度避免雷电影响，进而能提高整体发电性能可靠性。包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，芯片包括一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片；一块ZNR芯片和两块或三块二极管芯片通过正极引线和负极引线构成并联连接。本技术采用一个ZNR芯片作为保护元件，采取并联式的连接模式构成了能适用于露天，能最大限度防止雷电侵袭的二极管。工作时，并联的多个二极管芯片、ZNR芯片同时保持工作状态，遇有雷电时，ZNR芯片能起到一定的保护作用；在ZNR芯片不足以产生保护作用时，多芯片带保护功能二极管芯片中也只会损坏1块，过后仍能保持后续的正常工作。文档编号H01L29/861GK202103056SQ201120192378公开日2012年1月4日 申请日期2011年9月26日 优先权日2011年9月26日专利技术者王双, 王毅, 蒋李望 申请人:扬州扬杰电子科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多芯片带保护功能二极管，包括正极引线、负极引线、芯片和封装体，其特征在于，所述芯片包括一块ＺＮＲ芯片和两块或三块二极管芯片；所述一块ＺＮＲ芯片和两块或三块二极管芯片通过所述正极引线和负极引线构成并联连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王双，王毅，蒋李望，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32