本发明专利技术涉及放射线检测装置和放射线成像系统，该放射线检测装置包括半导体基板，每一半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，光电转换部被形成在第一表面上；闪烁体层，被放置在所述多个半导体基板的第一表面之上，用于将放射线转换为光；以及弹性部件，放置在基体和该第二表面之间，用于支撑该半导体基板的第二表面，从而所述半导体基板的第一表面彼此平齐。当作为单体测量所述弹性部件时，立方体被检查物在被在垂直于第一表面的方向上压缩时在平行于第一表面的方向上的拉伸量小于被检查物在被在平行于第一表面的方向上压缩时在垂直于第一表面的方向上的拉伸量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放射线检测装置和放射线成像系统。在本说明书中，放射线包括诸如 X射线和Y射线的电磁波。
技术介绍
近年来实现的放射线检测装置的半导体基板具有大的面积。半导体基板的面积越大，每单位基板的产量越低，并且每单位基板的损耗量越大。出于这个原因，排列多个半导体基板以实现半导体基板面积的增加。当排列多个半导体基板时，它们优选地具有一致的高度。根据日本专利特开No. 2008-2244 ，通过将半导体基板的下表面经由片状多孔阻尼部件(damper member)结合到基体上，调整半导体基板的上表面的高度。
技术实现思路
当排列多个半导体基板时，必须设定适当的半导体基板之间的间隔，并且使得它们的上表面具有一致的高度。日本专利特开No. 2008-224429中公开的技术通过使阻尼部件在垂直于各半导体基板的上表面的方向上收缩，可使得半导体基板的表面高度一致。然而，同时，由于阻尼部件在平行于各半导体基板的方向上拉伸，半导体基板之间的间隔增大。因此，本专利技术的一个方面提供了用于抑制在其中布置有半导体基板的放射线检测装置中的多个半导体基板之间的间隔偏移的技术。本专利技术的一个方面提供了一种放射线检测装置，包括多个半导体基板，每个半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，用于检测光的光电转换部被形成在第一表面上；放置在所述多个半导体基板的第一表面上的闪烁体层，用于将放射线转换为光； 和放置在基体和所述多个半导体基板的第二表面之间的弹性部件，用于支撑所述多个半导体基板的第二表面以使得所述多个半导体基板的第一表面彼此平齐，其中当作为单体测量弹性部件时，立方体被检查物在被在垂直于第一表面的方向上压缩时在平行于第一表面的方向上的拉伸量小于被检查物在被在平行于第一表面的方向上压缩时在垂直于第一表面的方向上的拉伸量。从(参考附图)下文对示例实施例的描述，本专利技术的其它特征将变得清晰。 附图说明结合在本说明书中并且构成其一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据一个实施例的放射线检测装置的例子的示意性截面图；图2是用于解释基材(base material)的各向异性的视图；图3是用于解释测量基材的拉伸量的方法的视图；图4是用于解释基材的拉伸量和重物的重量之间的关系的曲线图；图5是根据一个实施例的放射线检测装置的另一个例子的示意性截面图6是用于解释根据另一个实施例的放射线成像系统的视图。 具体实施例方式下面将参考附图描述本专利技术的实施例。将参考图1描述根据一个实施例的放射线检测装置100的例子。图1是放射线检测装置100的示意性截面图。放射线检测装置100可以包括基体110、弹性部件120、多个半导体基板130和闪烁体面板(scintillator panel) 140。闪烁体面板140可以包括闪烁体层141和支撑基板142。闪烁体层141将已进入放射线检测装置100的放射线转换为光。 可以通过例如在支撑基板142上气相沉积CsI来形成闪烁体层141。半导体基板130具有在其上形成有光电转换部的表面(第一表面)，并且检测由闪烁体层141转换成的光。闪烁体面板140被放置在其上形成有光电转换部的表面(第一表面)之上。放射线检测装置100可以包括多个半导体基板130。图1作为例子示出了两个半导体基板130。然而，可使用的基板数目不限于此。半导体基板130的位于闪烁体面板 140侧的表面被固定为彼此平齐。半导体基板130的位于与闪烁体面板140相对的一侧的表面(第二表面)被固定到基体110上的弹性部件120支撑。弹性部件120可以包括基材121以及将基材121夹在中间的粘接层122和123。半导体基板130通过粘接层123接合到基材121。基体110通过粘接层122接合到基材121。 即，弹性部件120还作为粘接部件。基材121可被粘接材料覆盖，而不是被夹在粘接层122 和123之间。为了下文的描述，与半导体基板130的位于闪烁体面板140侧的表面平行的方向被简称为平行方向151，并且垂直于该表面的方向被简称为垂直方向152。基材121关于拉伸量具有各向异性。假设从基材121提取立方体被检查物并且对其进行单独测量。该被检查物在被在垂直方向152上压缩时在平行方向151上的拉伸量小于在被在平行方向151上压缩时在垂直方向152上的拉伸量。将参考图2对此进行详细描述。图2的上部部分示出半导体基板130a和半导体基板130b排列在弹性部件120上的状态。假设在该情况下，半导体基板130a的厚度(垂直方向152上的长度)大于半导体基板130b的厚度。以a表示半导体基板130a和半导体基板130b之间的间隔，并且以b表示弹性部件120在垂直方向 152上的长度。在该状态中，半导体基板130a被压入弹性部件120，从而半导体基板130a和 130b的位于闪烁体面板140侧的表面彼此平齐。结果，如图2的下部部分所示，半导体基板 130a和半导体基板130b之间的间隔变为间隔c，并且弹性部件120的在垂直方向152上位于半导体基板130a下面的部分的长度变为长度d。在该情况下，由于基材121关于膨胀/ 收缩具有各向异性，弹性部件120在平行方向151上的拉伸量(c-a)小于具有各向同性的弹性部件的拉伸量。弹性部件120在平行方向151上的拉伸量(c-a)可以小于半导体基板 130之间的间隔的允许容限(allowable margin) 0另外，弹性部件120在垂直方向152上的长度b可以大于半导体基板130的厚度变化。基材121可由例如基于聚烯烃的树脂、聚酯、无纺布、化学纤维、丝线网等形成。可以使用基于聚烯烃的树脂中的具有相对高的柔性的基于聚苯乙烯的树脂。这种丝线可以是例如金属丝线或树脂丝线。可以选择例如下列材料中的至少一种作为粘接层122和123的材料丙烯酸材料、基于环氧树脂的材料、基于橡胶的材料、基于聚酯的材料、基于聚酰胺的材料、基于乙烯基烷基醚(vinyl alkylether)的材料和基于硅树脂的粘接材料。另外，可以选择具有包括可热膨胀微球体的可热释放Oieat releasable)粘接层的材料的组合作为粘接层123的材料。这可以使得可以从多个半导体基板130释放基材121，以便例如更换某些半导体基板130。接下来将参考图3描述测量基材121在平行方向151上的拉伸量的方法。基材121 在被在垂直方向152上压缩时在平行方向151上的拉伸量与基材121在被在平行方向151 上拉伸时在平行方向151上的拉伸量具有相关性。因此，在下面的操作中，测量被检查物在被拉伸时的拉伸量。还可以通过相同的测量方法测量基材121在垂直方向152上的拉伸量。 首先，从基材121提取被检查物301，使得该被检查物301在平行方向151上的长度为120mm 并且在垂直方向152上的长度为10mm。准备两个PET (聚对苯二甲酸乙二醇脂)板30 和 302b，它们中的每一个均具有20mm的宽度和IOmm的长度，并且测量PET板302b的重量。被检查物301的均具有IOmm长度并且从对应端部延伸IOmm的部分被分别塞入(tuck) PET片 30 和30沘。在该情况下，被检查物301和PET片30 及30 的中心线彼此重合。以本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种放射线检测装置，包括：多个半导体基板，所述多个半导体基板中的每一个具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，用于检测光的光电转换部被形成在第一表面上；闪烁体层，被放置在所述多个半导体基板的第一表面之上，用于将放射线转换为光；以及弹性部件，放置在基体和所述多个半导体基板的第二表面之间，用于支撑所述多个半导体基板的第二表面，从而所述多个半导体基板的第一表面彼此平齐，其中当作为单体测量所述弹性部件时，立方体被检查物在被在垂直于第一表面的方向上压缩时在平行于第一表面的方向上的拉伸量小于被检查物在被在平行于第一表面的方向上压缩时在垂直于第一表面的方向上的拉伸量。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽田觉，井上正人，大栗宣明，竹田慎市，秋山正喜，武井大希，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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