检测装置、其制造方法和放射线检测系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及检测装置、其制造方法和放射线检测系统。提供了包含像素的检测装置的制造方法。该方法包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及检测装置、其制造方法和放射线检测系统。提供了包含像素的检测装置的制造方法。该方法包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。【专利说明】检测装置、其制造方法和放射线检测系统
本专利技术涉及检测装置、其制造方法和放射线检测系统。
技术介绍
日本专利公开No. 2007-059887提出了包括转换元件和诸如TFT的开关元件的检 测装置。在该检测装置中，在开关元件之上形成转换元件，并且在开关元件与转换元件之间 形成层间绝缘层。转换元件包含对于各个（individual)像素分割的电极、在电极上形成并 且被多个像素共享的绝缘层、以及在绝缘层上形成并且对于各个像素分割的半导体层。
技术实现思路
在日本专利公开No. 2007-059887中提出的检测装置的制造方法中，为了形成对 于各个像素分割的半导体层，必须通过蚀刻来去除在绝缘层上形成的半导体膜的部分。在 该蚀刻中，绝缘层用作下层（underlayer)。当与层间绝缘层接触的部分中的绝缘层的膜厚 度通过蚀刻减小到几十nm时，转换元件的绝缘层不能跟随在检测装置的制造方法的加热 步骤中出现的层间绝缘层的收缩，并且转换元件的绝缘层可从层间绝缘层剥离。另外，如果 蚀刻气体透过绝缘层，那么绝缘层下面的层间绝缘层被暴露于蚀刻。如果层间绝缘层在它 由有机材料制成时暴露于蚀刻,那么有机材料污染转换元件，并且暗电流增大。 为了防止如上所述的膜剥离和污染，仅需要形成绝缘层以使得与层间绝缘层接触 的部分中的绝缘层具有足够的膜厚度。但是，在日本专利公开No. 2007-059887的布置中， 与层间绝缘层接触的部分中的绝缘层的膜厚度依赖于像素电极上的部分中的绝缘层的膜 厚度。这使得难以为了提高转换元件的灵敏度而减薄绝缘层。 因此，根据本专利技术的一个方面，提供一种有利于减薄包含于检测装置的转换元件 中的绝缘层的技术。 根据本专利技术的一个方面，所提供的是一种包含多个像素的检测装置的制造方法， 包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形 成对于各个像素分割的多个像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有所述多个像素电极的部分 之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成 覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀 刻阻止体（stopper)进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。 根据本专利技术的另一方面，所提供的是一种包含多个像素的检测装置的制造方法， 包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形 成对于各个像素分割的多个像素电极；形成覆盖所述多个像素电极和有机绝缘层的未覆盖 有所述多个像素电极的部分的无机绝缘膜；通过使用覆盖无机绝缘膜的存在于有机绝缘层 的未覆盖部分之上的第一部分的掩模，通过蚀刻来减小无机绝缘膜的存在于所述多个像素 电极之上的第二部分的厚度；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机绝缘膜 的第一部分作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。 根据本专利技术的又一方面，所提供的是一种包含多个像素的检测装置的制造方法， 包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形 成无机绝缘层；在无机绝缘层之上形成对于各个像素分割的多个像素电极；形成覆盖所述 多个像素电极和无机绝缘层的未覆盖有所述多个像素电极的部分的无机绝缘膜；形成覆盖 无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机绝缘层和无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止 体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。 根据本专利技术的再一方面，所提供的是一种包含多个像素的检测装置，包括：开关元 件，形成在基板之上；有机绝缘层，形成在开关元件之上；多个像素电极，形成在有机绝缘 层之上并且对于各个像素被分割；无机材料部分，形成在有机绝缘层的未覆盖有所述多个 像素电极的部分之上；无机绝缘层，形成在所述多个像素电极之上；以及半导体层，形成在 无机绝缘层之上并且对于各个像素被分割。 根据本专利技术的又一方面，所提供的是一种包含多个像素的检测装置，包括：开关元 件，形成在基板之上；有机绝缘层，形成在开关元件之上；多个像素电极，形成在有机绝缘 层之上并且对于各个像素被分割；无机绝缘层，覆盖有机绝缘层的未覆盖有所述多个像素 电极的部分和所述多个像素电极；以及半导体层，形成在无机绝缘层之上并且对于各个像 素被分割，并且无机绝缘层的离所述基板的高度最大的部分存在于有机绝缘层的未覆盖部 分之上。 根据本专利技术的再一方面，所提供的是一种包含多个像素的检测装置，包括：开关元 件，形成在基板之上；有机绝缘层，形成在开关元件之上；第一无机绝缘层，形成在有机绝 缘层之上，并且具有露出开关元件的电极的一部分的接触孔；多个像素电极，形成在第一无 机绝缘层之上并且对于各个像素被分割；第二无机绝缘层，形成在所述多个像素电极之上； 以及半导体层，形成在第二无机绝缘层之上并且对于各个像素被分割。 从（参照附图）对示例性实施例的以下描述，本专利技术的进一步的特征将变得明显。 【专利附图】【附图说明】 图1是用于解释各种实施例的检测装置的等效电路例子的示图； 图2A和2B是用于解释一些实施例的检测装置的像素的配置例子的示图； 图3A至3J是用于解释图2A和2B所示的检测装置的制造方法的例子的示图； 图4是用于解释图2A和2B所示的检测装置的第一变型的布置的示图； 图5A和5B是用于解释图2A和2B所示的检测装置的第二变型的布置的示图； 图6A和6B是用于解释图2A和2B所示的检测装置的第二变型的制造方法的示 图； 图7A和7B是用于解释图2A和2B所示的检测装置的第三变型的布置的示图； 图8A至8D是用于解释图2A和2B所示的检测装置的第三变型的制造方法的示 图； 图9A和9B是用于解释一些其它实施例的检测装置的像素的配置例子的示图； 图10A和10B是用于解释图9A和9B所示的检测装置的制造方法的例子的示图； 图11A和11B是用于解释一些其它实施例的检测装置的像素的配置例子的示图； 图12A和12B是用于解释图11A和11B所示的检测装置的制造方法的例子的示图； 以及 图13是用于解释一些其它实施例的放射线检测系统的示图。 【具体实施方式】 以下将参照附图解释本专利技术的各种实施例。相同的附图标记在所有的各种实施例 中表示相同的要素，并且重复的解释将被省略。并且，可以根据需要改变和组合实施例。 将参照图1解释根据本专利技术的各种实施例的检测装置100的等效电路的例子。检 测装置100被配置为检测发射的放射线。放射线可以例如为X射线、α射线、β射线或 Y 射线。检测装置1〇〇被用于例如医疗图像诊断本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含多个像素的检测装置的制造方法，包括：在基板之上形成有机绝缘层，所述基板之上形成有开关元件；在有机绝缘层之上形成对于各个像素分割的多个像素电极；在有机绝缘层的未覆盖有所述多个像素电极的部分之上形成无机材料部分；形成覆盖所述多个像素电极和无机材料部分的无机绝缘膜；形成覆盖无机绝缘膜的半导体膜；以及通过使用无机材料部分与无机绝缘膜的叠层结构作为蚀刻阻止体进行蚀刻，对于各个像素分割半导体膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川锅润，渡边实，横山启吾，大藤将人，藤吉健太郎，和山弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP