图像感测装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种图像感测装置及其形成方法。该方法包含：提供一透镜；形成一第一牺牲单元于透镜之上；形成一电磁干扰层于透镜及第一牺牲单元之上；移除第一牺牲单元及部分形成于第一牺牲单元上的电磁干扰层，以形成一具有一开口的电磁干扰图案，开口露出该透镜的一选择部分；形成一第二牺牲单元于开口之内以覆盖透镜的选择部分的一中央区域，且仍露出透镜的选择部分的一周围区域；形成一遮光层于该电磁干扰图案、该第二牺牲单元、该透镜的选择部分的该周围区域之上；移除该第二牺牲单元及该第二牺牲单元之上的该遮光层，以露出该透镜的选择部分的该中央区域作为一透光区。本发明专利技术不会发生传统电磁干扰图案所产生的问题于图像感测装置的透光区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种具有透光区的。
技术介绍
近年来，图像提取装置，像是固态图像提取装置，广泛地被应用于光电装置上，举例来说，像是数码相机、移动电话、或是玩具等。一般来说，图像提取装置包含一光感测元件，像是电荷耦合元件(CCD)、光感测元件、或是互补式金属氧化物半导体(CM0Q光感测元件。于固态图像感测装置中，通常设置有微透镜(micro lens)，借以改善图像感测度 (image sensitivity)。此外，于固态图像感测装置内通常也设置有光圈(diaphragm)，以用于微透镜的光路过滤之用，进而调节穿透微透镜及朝向图像感测器前进的光量。光圈通常定义形成于微透镜的表面上，且其通常借由光刻技术所形成的图案化遮光层所形成。由于微透镜上通常存在有一曲面，故采用光刻技术以图案化形成于微透镜的曲面上的遮光层的部分时可能造成曝光一致性与再现性的不一致情形。此外，光刻技术的使用需要较高的制造成本与较长制造时间。中国台湾专利申请号097119486教示利用一能致澎润牺牲单元对一金属层进行图案化，以形成一遮光图案或一电磁干扰图案。然而，该金属图案(作为该遮光图案/电磁干扰图案)及一透镜上表面之间的附着力不佳，以致于该金属在后续清洗步骤中易于由该透镜上表面剥离或破裂。因此，目前业界需要一种新颖的方法用以制造该图像感测装置的透光区，以使得图像感测装置的产率不会受到该电磁干扰图案碎裂后所产生的金属碎片的影响。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术提供一形成图像感测装置的方法，包含提供一光感测元件，其中该光感测元件具有一透镜位于该光感测元件之上；形成一第一牺牲单元于该透镜之上；形成一电磁干扰层于该透镜及该第一牺牲单元之上；移除该第一牺牲单元及部分形成于该第一牺牲单元上的该电磁干扰层，以形成一具有一开口的电磁干扰图案， 其中该开口露出该透镜的一选择部分；形成一第二牺牲单元于该开口之内以覆盖该透镜的选择部分的一中央区域，且仍露出该透镜的选择部分的一周围区域；形成一遮光层于该电磁干扰图案、该第二牺牲单元、以及该透镜的选择部分的该周围区域之上；以及，移除该第二牺牲单元及该第二牺牲单元之上的该遮光层，以露出该透镜的选择部分的该中央区域作为一透光区。根据本专利技术另一实施例，本专利技术也提供一图像感测装置，包含一光感测元件，其中该光感测元件具有一透镜形成于其上；一电磁干扰图案形成于该透镜上，其中该电磁干扰图案具有一开口露出该透镜的一部分；以及，一遮光图案形成于该电磁干扰图案的一上表面及一侧壁，以定义出一位于该电磁干扰图案开口内的一透光区。先前所述的传统电磁干扰图案所产生的问题(例如剥离、升起、或是破裂)并不会发生于本专利技术所述的该图像感测装置的透光区。为让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下附图说明图IA-图IF为一系列剖面结构图，显示本专利技术一比较实施例所述非图像感测装置的制造方法。图2A-图2G为一系列剖面结构图，显示本专利技术一实施例所述的图像感测装置的制造方法。图3A-图3G为一系列俯视图，分别对应图2A-图2G。图4显示本专利技术另一实施例所述的图像感测装置。其中，附图标记说明如下100 透镜；101 曲面部分；102 图像感测结构；103 光感测元件；105 牺牲单元；107 电磁干扰层；107a 电磁干扰图案；107b 碎片；109 遮光层；109a 遮光图案；111 透光区；200 透镜；201 曲面部分；203光感测元件；205A 牺牲单元；205B 牺牲单元；206 开口；206A 中央区域；206B 周围区域；207 电磁干扰层；207a 电磁干扰图案；209 遮光层；209a 遮光图案；211 透光区；400 透镜；406 开口；406A 中央区域；406B 周围区域；407a 电磁干扰图案；409a 遮光图案；以及411 透光区。具体实施例方式以下介绍根据本专利技术所述的优选实施例。必须说明的是，本专利技术提供了许多可应用的专利技术概念，所揭示的特定实施例仅是说明达成以及使用本专利技术的特定方式，不可用以限制本专利技术的范围。请参照图IA-图1F，显示中国台湾专利申请号097119486所述的图像感测装置的制造方法，作为本专利技术的一比较实施例。如图IA所示，提供一透镜100作为一支撑构件。一光感测元件103位于该透镜100之下，并与该透镜100的一曲面部分101对齐。该透镜100的材质可为玻璃或是塑胶。该曲面部分101及该透镜100可以相同的材料经一模具所形成。此外，该曲面部分101也可额外以其他步骤形成于该透镜100之上。该光感测元件103，对应一预定的透光区，可包含电荷耦合元件(CCD)、光感测元件、或是互补式金属氧化物半导体(CM0Q光感测元件。此外，该光感测元件103可包含一具有不同颜色的彩色滤光层(例如红色彩色滤光层、绿色彩色滤光层、及蓝色彩色滤光层)(未显示)、多个内连金属层(未显示)、以及绝缘上述内连金属层用的多个金属层间介电层(未显示)等功能性构件。为了简化图示的目的，并未显示出上述图像感测结构102内功能性构件，而仅显示图像感测结构103为一平整表面的结构。如图IB所示，一牺牲单元105形成于该透镜100的曲面部分101。该牺牲单元 105可借使用液体分配器(liquid dispenser)来形成，该液体分配器例如为一点胶机(gel dispenser)的液体分配器、高准确性分配器(high precisiondispenser)、或电子印刷机 (electrical printing machine)。该牺牲单元105可包括能致膨胀材料(能量-induced swelling materials)，例如——化学发泡齐Ll (chemical foaming agent)或——物理发泡齐[J (physicalfoamingagent)。 化学发泡剂例如为偶氮二甲酰胺(azobi sformamide，ABFA)、偶氮二甲酰胺 (azodicarbonamide, ADCA)、ρ, ρ ‘-一氧代双苯石黄(P，P' -oxybis (benzenesulfonyl hydrazide) (OBSH))或 N，N，-二亚硝基五亚甲基四胺(N，N' -dinitrosopentamethylenet etramine，DPT)，而物理发泡剂则例如为C2H4Cl2、氟氯烷(Freon)或相似的材料。牺牲层105 的能致膨胀材料置于如热能的一能量源时将自其原先体积膨胀至一较大体积，并最终地发生爆裂情形。接着，如图IC所示，连续顺应性形成一电磁干扰层107及一遮光层109于图IB所示的结构上。该电磁干扰层107可包含电及/或磁传导能力，其材质可为金属、合金、或陶瓷。该电磁干扰层107可借由溅镀方式形成。与该遮光层109相比，该电磁干扰层107 具有较低的遮光效果，且与该透镜100间具有较低的附着力。该遮光层109，不具有电或磁的传导能力，用作于遮光及保护该电磁干扰层107。在一实施例中，该遮光层109包含一聚合物。该遮光层109的形成方式可为旋转涂布法(spin-coating)。如图ID所示，对该牺牲单元105施以一能量使其膨胀本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种形成图像感测装置的方法，包含：提供一光感测元件，其中该光感测元件具有一透镜位于该光感测元件之上；形成一第一牺牲单元于该透镜之上；形成一电磁干扰层于该透镜及该第一牺牲单元之上；移除该第一牺牲单元及部分形成于该第一牺牲单元上的该电磁干扰层，以形成一具有一开口的电磁干扰图案，其中该开口露出该透镜的一选择部分；形成一第二牺牲单元于该开口之内以覆盖该透镜的选择部分的一中央区域，且仍露出该透镜的选择部分的一周围区域；形成一遮光层于该电磁干扰图案、该第二牺牲单元、以及该透镜的选择部分的该周围区域之上；以及移除该第二牺牲单元及该第二牺牲单元之上的该遮光层，以露出该透镜的选择部分的该中央区域作为一透光区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘明凯，黄自维，张瑞鸿，黄家辉，陈腾盛，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，美商豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71