图像传感器装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是揭示一种图像传感器装置的制造方法，该方法包含在一基底上形成一光敏层。然后，经由一第一光掩模来使上述光敏层曝光，以形成一已曝光区与一未曝光区。接着，经由一第二光掩模来使上述未曝光区部分地曝光，以形成一裁减部，其中上述第二光掩模具有一第一部分与一第二部分，上述第二部分所具有的透光率是大于上述第一部分的透光率。再来，移除上述裁减部以形成多个光敏结构。接下来，重流(reflow)上述光敏结构，以形成具有不同高度的一第一透镜与一第二透镜。本发明专利技术的方法可以简单地控制每个个别的微透镜，以具有一较佳的高度，来改善图像传感器装置的感光度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及具有不同高度的微透镜的。
技术介绍
由于光电装置例如数字相机、数字录影机、可提取图像的行动电话以及监视器， 是变得愈来愈普及，对于图像传感器装置的需求就因此增加。一图像传感器装置是用来记录来自一图像的一光信号的改变，并将此光信号转换成一电子信号。在上述电子信号的纪录与处理之后，则产生一数字图像。通常可将图像传感器装置分成二大类，其中一类是电荷耦合装置(chargecoupled device ;CCD)、另一类是互补式金属-氧化物-半导体 (complementary metal oxide semiconductor ；CMOS)装置。一图像传感器装置通常具有一像素阵列，其中每个像素是具有一光传感器，此光传感器会产生与照射在此光传感器的光线的强度对应的一信号。将一图像聚焦于此像素阵列时，可利用信号来显示一对应的图像。在传统技术中，一微透镜阵列是对应地置于上述像素阵列的上方，并用来把光线聚焦在上述像素阵列上。然而，尽管使用了上述微透镜阵列， 由于上述微透镜阵列的几何形状而使大量的入射光未直接到达上述光传感器上。至每个光传感器的入射光的对焦深度，是随着光线的入射角(例如主光线角度(chiefray angle ； CRA))的不同而变化。因此，具有不同对焦深度的透镜阵列会降低图像传感器装置的感光度 (photosensitivity)0已有人提出用于一微透镜阵列的层叠透镜结构，来解决此一问题。然而，控制透镜轮廓的能力不佳，其中实质上相同的透镜形状会降低图像传感器装置的感光度。因此，目前有发展一种的需求，其可以简单地控制每个个别的微透镜，以具有一较佳的高度，来改善上述图像传感器装置的感光度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术是提供一种，其一实施例是包含在一基底上形成一光敏层。然后，经由一第一光掩模来使上述光敏层曝光，以形成一已曝光区与一未曝光区。接着，经由一第二光掩模来使上述未曝光区部分地曝光，以形成一裁减部，其中上述第二光掩模具有一第一部分与一第二部分，上述第二部分所具有的透光率是大于上述第一部分的透光率。再来，移除上述裁减部以形成多个光敏结构。接下来，重流 (reflow)上述些光敏结构，以形成具有不同高度的一第一透镜与一第二透镜。在上述中，优选为更包含在使上述未曝光区部分地曝光之前，移除上述已曝光区。在上述中，优选为上述已曝光区与上述裁减部是同时被移除。在上述中，优选为上述第一部分是不透明，而上述第二部分是半透明。在上述中，优选为上述第二部分是具有一不透明层， 上述不透明层具有供光线穿透的多个开口。在上述中，优选为上述开口是圆形、长方形、三角形、 正方形、或条纹形、或上述的组合。在上述中，优选为上述不透明层包含铬。在上述中，优选为上述第二部分包含MoSi、MoSiN, ToSi2, Mo、Nb2O5, Ti、Ta、CrN, MoO3> MoN、Cr2O3> TiN、ZrN, TiO2, TaN、Ta2O5, SiO2, NbN、Si3N4, &N、或Al2O3N或上述的组合。在上述中，优选为每个上述第一透镜与上述第二透镜所具有的直径是2 μ m 6 μ m。在上述中，优选为上述第一透镜或上述第二透镜所具有的高度是大于0. 7 μ m而至2. O μ m。在上述中，优选为上述光敏层是一正光致抗蚀剂层。在上述中，优选为上述光敏结构是在移除上述裁减部之后具有至少一孔洞。在上述中，优选为上述未曝光区是经由上述第二部分而部分地受到曝光。在上述中，优选为上述第二光掩模更包含一第三部分，上述第三部分所具有的透光率是大于上述第二部分的透光率。在上述中，优选为上述第三部分是具有一不透明层， 上述不透明层具有供光线穿透的多个开口。在上述中，优选为上述开口是圆形、长方形、三角形、 正方形、或条纹形、或上述的组合。在上述中，优选为上述不透明层包含铬。在上述中，优选为上述第三部分包含MoSi、MoSiN, ToSi2, Mo、Nb2O5, Ti、Ta、CrN, MoO3> MoN、Cr2O3> TiN、ZrN, TiO2, TaN、Ta2O5, SiO2, NbN、Si3N4, &N、或Al2O3N或上述的组合。在上述中，优选为是以在150°C 250°C的热工艺来重流上述光敏结构。本专利技术的方法可以简单地控制每个个别的微透镜，以具有一较佳的高度，来改善图像传感器装置的感光度。附图说明图Ia-图Ig为一系列的剖面图，是显示本专利技术的的一例示的实施例。图2为一俯视示意图，是显示本专利技术的具有不透明部分的一第一光掩模的一例示的实施例。图3a为一俯视示意图，是显示本专利技术的一第二光掩模的不透明部分的一例示的实施例。图北为一俯视示意图，是显示本专利技术的一第二光掩模的不透明部分的另一例示的实施例。图如为一俯视示意图，是显示本专利技术的上述第二光掩模的半透明部分的一例示的实施例。图4b为一俯视示意图，是显示本专利技术的上述第二光掩模的半透明部分的另一例示的实施例。图如为一俯视示意图，是显示本专利技术的上述第二光掩模的半透明部分的又另一例示的实施例。图fe与图恥为一系列的俯视示意图，是显示本专利技术的上述第二光掩模的半透明部分的一例示的实施例，其中图恥中的半透明区所具有的透光率是相对地高于图fe中的半透明区所具有的透光率。图6为一俯视图，是显示经由上述第一光掩模曝光之后的光敏层的一例示的实施例。其中，附图标记说明如下30 裁减部100 --图像传感器装置102 -吣基底104 --光传感器106 --中间层108 --彩色滤光阵列108a 彩色滤光器108b 彩色滤光器110 --透明基底120 --微透镜160 --微透镜300 --光敏层300， 光敏层300a --未曝光区300b 已曝光区400 --透明的空白片401 --第一光掩模402 --不透明部分404 --透光区500 -。光600 --透明的空白片601 --第二光掩模602 --第一部分606 --第二部分608 --第三部分624 -一开口具体实施例方式为让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下要了解的是本说明书以下的揭示内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本专利技术的不同特征。而本说明书以下的揭示内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化专利技术的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本专利技术。例如，若是本说明书以下的揭示内容叙述了将一第一特征形成于一第一特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本说明书以下的揭示内容可能在各个范例中使用重复的元件符号，以使说明内容更加简化、明确，但是重复的元件符号本身不会使不同的实施例及/或结构之间产生关联。另外，在本说明书中，在数值相关叙述后接“以上”、“以下”的词来叙述数值范围的情况中，除非另有加注，相关的数值范围是包含上述“以上”、“以下”的词前接的数值。图Ia是显示具有多个光传感器104例如为光二极管于其上的一基底102的一例示的实施例的一剖面图。基底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种图像传感器装置的制造方法，包含：在一基底上形成一光敏层；经由一第一光掩模来使该光敏层曝光，以形成一已曝光区与一未曝光区；经由一第二光掩模来使该未曝光区部分地曝光，以形成一裁减部，其中该第二光掩模具有一第一部分与一第二部分，该第二部分所具有的透光率是大于该第一部分的透光率；移除该裁减部以形成多个光敏结构；以及重流所述多个光敏结构，以形成具有不同高度的一第一透镜与一第二透镜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨明昇，余雅筠，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71