功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；(3)源注入及源区推进；(4)接触孔刻蚀；(5)第一次接触孔注入；(6)接触孔沟槽刻蚀；(7)第二次接触孔注入；(8)后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。本发明专利技术在现有的功率MOS晶体管集成肖特基二极管的工艺基础上进一步改进，减少了光刻层，简化了工艺流程，降低了产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路器件的制造方法，尤其涉及一种功率MOS晶体管 内集成肖特基二极管的工艺方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，现有的比较先进的功率MOS晶体管集成肖特基二极管的结 构如图1所示。功率MOS晶体管集成肖特基二极管，可以显著提高器件的交频特性。图1所示的 现有的较先进的功率MOS晶体管集成肖特基二极管结构，通过接触孔注入在接触孔沟槽底 部形成了肖特基二极管，其工艺过程需要一道光刻层在Body注入时阻挡接触孔区域，在接 触孔沟槽形成过程需要两次刻蚀，该工艺明显具有以下缺点(I)Body注入时需要光刻层阻挡接触孔区域，增加了光刻与工艺；(2)形成肖特基区域时的接触孔沟槽刻蚀需分成两步进行。可见现有的较先进的工艺方法虽然能在功率MOS晶体管接触孔底部形成肖特基 区域，但是仍存在工艺流程不够优化，成本较高等缺点，限制了它的市场前景。如何减少光 刻层，减少工艺步骤，降低成本，便是本专利技术所要达到的目的。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工 艺方法，本专利技术在现有的功率MOS晶体管集成肖特基二极管的工艺基础上进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率ＭＯＳ晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：（１）在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Ｂｏｄｙ注入、去光阻及Ｂｏｄｙ推进；（２）栅极沟道刻蚀，形成栅极；（３）源注入及源区推进；（４）接触孔刻蚀；（５）第一次接触孔注入；（６）接触孔沟槽刻蚀；（７）第二次接触孔注入；（８）后续工艺包括依次进行金属淀积、曝光和刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵向荣，魏炜，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31