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本发明公开了一种功率MOS晶体管内集成肖特基二极管的工艺方法，包括如下步骤：(1)在已做完栅极二氧化硅阻挡层刻蚀的基片上依次进行Body注入、去光阻及Body推进；(2)栅极沟道刻蚀，形成栅极；(3)源注入及源区推进；(4)接触孔刻蚀；(5...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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