【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种半导体装置及其相关方法。因此，本专利技术涉及电子以及材料科学领域。
技术介绍
用于神经元及其他细胞材料的生长表面已被证明是具有争议性的。以神经元黏合来说，举例而言，许多基材在使用上有一定困难，而需要复杂的蛋白质涂层涂布于基材上。 此类蛋白质涂层难以涂布且用在慢性神经植入装置亦可能是不理想的。这些蛋白质材料在某些层次具有毒性，且在某些情况下也许会改变其周围神经元的正常生长以及功能。此外，许多团体试图将神经材料与电子装置相互接合，但鲜少有人成功。能够提供适当神经元定锚的材料通常不利于电子装置的整合。同样地，未使用复杂蛋白质涂层时，能与电子装置之间良好结合的材料亦可能无法对神经材料提供定锚作用。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于神经元生长的装置及其相关方法。在一方面中，举例而言， 本专利技术提供一种神经元生长装置，其包含有一奈米钻石粒子层，其具有一无遮蔽的神经元生长表面；一经掺杂的钻石层，其与该奈米钻石粒子层相接触并且相对于该神经生长表面； 以及一半导体层，其耦合至该经掺杂的钻石层并且相对于该奈米钻石粒子层。在一方面中， 实质上是通过该经掺杂的钻石层...
【技术保护点】
１．一种神经元生长装置，其特征在于，包括：一奈米钻石粒子层，具有一无遮蔽的神经元生长表面；一经掺杂的钻石层，与该奈米钻石粒子层相接触并且相对于该神经元生长表面；一半导体层，耦合至该经掺杂的钻石层并且相对于该奈米钻石粒子层。
【技术特征摘要】
2010.05.11 US 61/333,6291.一种神经元生长装置，其特征在于，包括一奈米钻石粒子层，具有一无遮蔽的神经元生长表面；一经掺杂的钻石层，与该奈米钻石粒子层相接触并且相对于该神经元生长表面； 一半导体层，耦合至该经掺杂的钻石层并且相对于该奈米钻石粒子层。2.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述奈米钻石粒子实质上通过该经掺杂的钻石层而定位。3.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述经掺杂的钻石层为一材料，其中该材料选自于由掺杂硼的钻石、掺杂氮的钻石以及其组合物所构成的群组。4.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述经掺杂的钻石层为一掺杂硼的钻石层。5.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述半导体层以一材料耦合至该钻石层，该材料选自于由硬焊剂、软焊剂以及其组合物所构成的群组。6.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述该半导体层形成于该钻石层之上。7.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述半导体层由一材质所构成，其中该材质选自于氮化镓、氮化铝、氮化硼铝、氮化镓铟、氧化铝以及其组合物。8.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，所述半导体层由一材质所构成，该材质选自于由氮化镓、氮化镓铟以及其组合物所构成的群组。9.根据权利要求1所述的神经元生长装置，其特征在于，进一步包含一金属层，该金属层设置于该钻石层以及该半导体层之间。10.一种神经元生长基材的制造方法，其特征在于，包括 于一支撑基材上形成一奈米钻石粒子层；于该奈米钻石粒子层上形成一钻石层并且相对于该支撑基材； 对该钻石层进行掺杂；将一半导体层耦合至该经掺杂的钻石层并且相对于该奈米钻石粒子层； 自该奈米钻石粒子层移除该支撑基材，以曝露出一神经元生长表面。11.根据权利要求10所述的神经元生长基材的制造方法，其特征在于，于所述支撑...
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