改进型三极管引线框架制造技术

本发明专利技术公开一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，所述的芯片部的厚度为0.8mm，所述的散热部的厚度为0.5mm，三个所述的管脚的厚度为0.5mm，每个所述的框架单元均为一体成型。本发明专利技术的引线框架的芯片部的厚度大于散热部的厚度，使得在受到外力时框架不易产生变形，也就消除了由于框架受外力变形而导致芯片脱离的现象，使得该框架更适用于较大型的芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种引线框架，特别是，涉及一种适用于较大芯片的改进型的 T0-251/252型三极管引线框架.。
技术介绍
传统技术中的三极管引线框架的上下通体的厚度是相同的，由平整的型材冲压而成，这样的结构会导致在三极管由于外力而发生变形时，导致芯片从框架上脱离，并且，大尺寸芯片封装后的热传递能力较差，致使芯片丧失功能和作用，甚至导致更加严重后果。
技术实现思路
本专利技术的是提供一种芯片部的厚度大于散热部的厚度、尤其适用于较大芯片的、 具有良好的热传递效果的改进型三极管引线框架。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、 连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，所述的芯片部的厚度为0. 8mm，所述的散热部的厚度为0. 5mm，三个所述的管脚的厚度为0. 5mm。优选地，三个所述的管脚中包括中间管脚、分居所述的中间管脚的两侧的侧管脚， 所述的侧管脚的上部与所述的芯片部相分离，所述的侧管脚与所述的中间管本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，其特征在于：所述的芯片部的厚度为０．８ｍｍ，所述的散热部的厚度为０．５ｍｍ，三个所述的管脚的厚度为０．５ｍｍ，每个所述的框架单元均为一体成型。

【技术特征摘要】
1.一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，其特征在于所述的芯片部的厚度为0. 8mm，所述的散热部的厚度为0. 5mm，三个所述的管脚的厚度为0. 5mm，每个所述的框架单元均为一体成型。2.根据权利要求1所述的改进型三极管引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨承武，朱成明，张荣才，
申请(专利权)人：吴江恒源金属制品有限公司，
类型：发明
国别省市：32