改进型三极管引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，所述的芯片部的厚度为0.8mm，所述的散热部的厚度为0.5mm，三个所述的管脚的厚度为0.5mm，每个所述的框架单元均为一体成型。本实用新型专利技术的引线框架的芯片部的厚度大于散热部的厚度，使得在受到外力时框架不易产生变形，也就消除了由于框架受外力变形而导致芯片脱离的现象，使得该框架更适用于较大型的芯片。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种引线框架，特别是，涉及一种适用于较大芯片的改进型的 T0-251/252型三极管引线框架.。
技术介绍
传统技术中的三极管引线框架的上下通体的厚度是相同的，由平整的型材冲压而成，这样的结构会导致在三极管由于外力而发生变形时，导致芯片从框架上脱离，并且，大尺寸芯片封装后的热传递能力较差，致使芯片丧失功能和作用，甚至导致更加严重后果。
技术实现思路
本技术的是提供一种芯片部的厚度大于散热部的厚度、尤其适用于较大芯片的、具有良好的热传递效果的改进型三极管引线框架。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，所述的芯片部的厚度为0. 8mm，所述的散热部的厚度为0. 5mm，三个所述的管脚的厚度为0. 5mm。优选地，三个所述的管脚中包括中间管脚、分居所述的中间管脚的两侧的侧管脚， 所述的侧管脚的上部与所述的芯片部相分离，所述的侧管脚与所述的中间管脚之间通过所述的中筋及所述的底筋相连接，进一步地，所述的芯片部与所述的中间管脚之间通过一个折弯部过渡连接。优选地，所述的散热部与所述的芯片部之间的连接处具有一个长圆形通孔。本技术的有益效果是芯片部的厚度大于散热部的厚度，这样设计的优点主要有1)、消除封装大尺寸芯片时使用过程外力造成三极管变形而失效的现象；2)、局部热传导作用得到加强，促使大尺寸芯片产生的热量较易传递到外界，防止芯片过热失效。同时也消除了由于芯片受外力变形而导致脱离的现象，该框架更适用于较大型的芯片。附图说明附图1为本技术的改进型三极管引线框架；附图2为附图1中的A-A向剖视图。附图中1、框架单元；2、中筋；3、底筋；4、散热部；5、芯片部；6、中间管脚；7、侧管脚；8、折弯部；9、长圆形通孔。具体实施方式以下结合附图所示的实施例对本技术的技术方案作以下详细描述如附图1及附图2所示，本技术的改进型三极管引线框架包括具有若干个框架单元1的框架本体，相邻的框架单元1的中部、下部分别通过中筋2、底筋3相连接，每个框架单元1包括上部的散热部4、连接在散热部4的下方的芯片部5、位于芯片部5的下方的三个管脚，芯片部5的厚度为0. 8mm,散热部4的厚度为0. 5mm,三个管脚的厚度为0. 5mm, 三个管脚中包括中间管脚6、分居中间管脚6的两侧的侧管脚7，侧管脚7的上部与芯片部 5相分离，侧管脚7与中间管脚6之间通过中筋2及底筋3相连接，芯片部5与中间管脚6 之间通过一个折弯部8过渡连接，散热部4与芯片部5之间的连接处具有一个长圆形通孔 9，以减少散热部4受外力变形对芯片部5的影响，每个侧管脚7的上端具有一个用以增大封装面积的头部，每个管脚的底部与底筋3连接的部位呈缩颈状，便于分离切割。本技术针对T0-251/252型的三极管引线框架进行改进，使其芯片部5的厚度大于散热部4的厚度，使得在受到外力时芯片不易产生变形，也就消除了由于框架受外力变形而导致芯片脱离的现象，使得该框架更适用于较大型的芯片。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。 凡根据本技术精神所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，其特征在于所述的芯片部的厚度为0. 8mm，所述的散热部的厚度为0. 5mm，三个所述的管脚的厚度为0. 5mm，每个所述的框架单元均为一体成型。2.根据权利要求1所述的改进型三极管引线框架，其特征在于三个所述的管脚中包括中间管脚、分居所述的中间管脚的两侧的侧管脚，所述的侧管脚的上部与所述的芯片部相分离，所述的侧管脚与所述的中间管脚之间通过所述的中筋及所述的底筋相连接。3.根据权利要求2所述的改进型三极管引线框架，其特征在于所述的芯片部与所述的中间管脚之间通过一个折弯部过渡连接。4.根据权利要求1所述的改进型三极管引线框架，其特征在于所述的散热部与所述的芯片部之间的连接处具有一个长圆形通孔。专利摘要本技术公开一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，所述的芯片部的厚度为0.8mm，所述的散热部的厚度为0.5mm，三个所述的管脚的厚度为0.5mm，每个所述的框架单元均为一体成型。本技术的引线框架的芯片部的厚度大于散热部的厚度，使得在受到外力时框架不易产生变形，也就消除了由于框架受外力变形而导致芯片脱离的现象，使得该框架更适用于较大型的芯片。文档编号H01L23/495GK202142524SQ20112026318公开日2012年2月8日 申请日期2011年7月25日 优先权日2011年7月25日专利技术者张荣才, 朱成明, 杨承武 申请人:吴江恒源金属制品有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种改进型三极管引线框架，包括具有若干个框架单元的框架本体，相邻的所述的框架单元的中部、下部分别通过中筋、底筋相连接，每个所述的框架单元包括上部的散热部、连接在所述的散热部的下方的芯片部、位于所述的芯片部的下方的三个管脚，其特征在于：所述的芯片部的厚度为０．８ｍｍ，所述的散热部的厚度为０．５ｍｍ，三个所述的管脚的厚度为０．５ｍｍ，每个所述的框架单元均为一体成型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨承武，朱成明，张荣才，
申请(专利权)人：吴江恒源金属制品有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32