【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装及其制造方法,更具体地讲,本专利技术涉及一种能够减小封装体的厚度并提高散热性能的多芯片半导体封装及其制造方法。
技术介绍
作为最简单、最常用的封装技术,芯片堆叠是将多个芯片堆叠起来并进行互连。由于多芯片封装性能优越、占用空间相对较小,所以将会成为半导体封装技术的有效解决方案。图1是示出了现有技术中的多芯片封装体的示意图。参照图1,该多芯片封装体包括:引线框架1,该引线框架1包括用于连接外部设备的外引脚11、用于连接芯片的内引脚12和放置芯片的芯片置盘13;第一芯片2,结合在芯片置盘13上;第二芯片3,结合在第一芯片2上;金属引线4,分别将第一芯片2和第二芯片3连接到引线框架1的内引脚12;封装树脂5,用于包封引线框架1、第一芯片2、第二芯片3和金属引线4。在图1中示出的多芯片封装中,多个芯片位于芯片置盘的同侧且直接位于芯片置盘上,并且引线均连接在芯片的边缘处和内引脚上,这样难以减少注塑成型后封装结构的整体厚度。第US 6265763号美国专利申请公开了一种多芯片集成电路封装结构,在该封装结构中,多个芯片分别位于引线框架的芯片置盘的不同侧,多个芯片通过金属引线与引线框架的内引脚结合,并且封装树脂包封全部的芯片和引线。在多个芯片贴附在引线框架两侧的结构中,封装工艺的复杂性提高,因此在贴片工艺中,这种结构不能连续贴芯片,而是必须要贴完一侧的芯片后,引线框架翻转 ...
【技术保护点】
1.一种多芯片堆叠的封装体,所述封装体包括:引线框架,所述引线框架的芯片置盘的中央部分设置有开口;第一芯片,所述第一芯片的第一表面结合到芯片置盘的下表面,所述第一表面的一部分被芯片置盘的开口暴露;第二芯片,所述第二芯片的第一表面结合到所述第一芯片的与其第一表面相对的第二表面;第一引线,连接在所述第一芯片的被暴露的部分与所述引线框架的内引脚之间;第二引线,连接在所述第二芯片的边缘与所述引线框架的内引脚之间;封装材料,包封所述引线框架、第一芯片、第二芯片、第一引线和第二引线,使得所述第二芯片的与其第一表面相对的第二表面被暴露。
【技术特征摘要】
1.一种多芯片堆叠的封装体,所述封装体包括:
引线框架,所述引线框架的芯片置盘的中央部分设置有开口;
第一芯片,所述第一芯片的第一表面结合到芯片置盘的下表面,所述第
一表面的一部分被芯片置盘的开口暴露;
第二芯片,所述第二芯片的第一表面结合到所述第一芯片的与其第一表
面相对的第二表面;
第一引线,连接在所述第一芯片的被暴露的部分与所述引线框架的内引
脚之间;
第二引线,连接在所述第二芯片的边缘与所述引线框架的内引脚之间;
封装材料,包封所述引线框架、第一芯片、第二芯片、第一引线和第二
引线,使得所述第二芯片的与其第一表面相对的第二表面被暴露。
2.根据权利要求1所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述第二芯片的
尺寸大于所述第一芯片的尺寸使得所述第二芯片的边缘暴露,以进行引线连
接。
3.根据权利要求1所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述第一芯片通
过双面胶带结合到所述芯片置盘。
4.根据权利要求3所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述第二芯片通
过粘结薄膜结合到所述第一芯片的第二表面。
5.根据权利要求1所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述第一芯片通
过涂覆在其第一表面上的银浆结合到所述芯片置盘。
6.根据权利要求5所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述第二芯片通
过涂覆在其第一表面上的银浆结合到所述第一芯片的第二表面。
7.一种多芯片堆叠的封装体,所述封装体包括:
引线框架,所述引线框架的芯片置盘的中央部分设置有开口;
至少两个芯片,以堆叠的方式结合到芯片置盘的同一侧且所述至少两个
芯片中的与所述芯片置盘直接结合的芯片的一部分被所述开口暴露,所述至
少两个芯片中的与芯片置盘直接结合的芯片通过穿过所述开口的引线电连接
到所述引线框架,所述至少两个芯片中的其它芯片通过连接在各个芯片边缘
和所述引线框架的内引脚之间的引线电连接到所述引线框架;
封装材料,包封所述引线框架和所述至少两个芯片,使得所述至少两个
芯片中在背离所述芯片置盘的方向上最外侧的芯片的表面暴露。
8.根据权利要求7所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述至少两个芯
片的尺寸彼此不同,按大小顺序堆叠以进行引线连接且所述至少两个芯片中
尺寸最小的芯片直接与芯片置盘直接结合。
9.根据权利要求7所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述至少两个芯
片中的直接与芯片置盘结合的芯片通过双面胶带结合到所述芯片置盘。
10.根据权利要求9所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述至少两个
芯片之间通过粘结薄膜相互结合。
11.根据权利要求7所述的多芯片堆叠的封装体,其中,所述至少两个
芯片中的直接与芯片置盘结合的芯片通过涂覆在其表面上的银浆结合到所述
芯片置盘。
12.根据权利要求11所述的多芯片堆叠的封装...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈松,
申请(专利权)人:三星半导体中国研究开发有限公司,三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:32
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