【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体存储器件及其制造方法，更具体而言涉及一种能够优化操作条件的半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
半导体存储器件接收并储存数据。在诸如快闪存储器的非易失性存储器件中，经由编程操作储存数据，经由擦除操作删除数据，并经由读取操作输出数据。在快闪存储器件中，存储单元的阈值电压电平根据储存在存储单元中的数据而偏移。即，存储单元的阈值电压经由编程操作或擦除操作而偏移。为了检查存储单元的阈值电压是否已偏移至目标电压，执行编程验证操作或擦除验证操作。在一般的快闪存储器件中，当将位线预充电至第一电压并将验证电压施加至与位线耦接的存储单元的栅极时，位线的电压保持不变，或者位线的电压根据存储单元的验证电压与阈值电压之差而偏移。可以基于位线的电压变化来检查存储单元的阈值电压。基于在编程操作之后执行的编程验证操作中检测的以及在擦除操作之后执行的擦除验证操作中检测到的感测电流电平来检查存储单元的阈值电压。在擦除操作之后，存储单元的阈值电压电平变得小于0V。在擦除验证操作中，感测到的存储单元的阈值电压电平应小于0V。与编程验证操作不同，在擦除验证操作中...
【技术保护点】
１．一种半导体存储器件，包括：存储串，所述存储串与位线耦接；页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在擦除验证操作或编程验证操作中感测所述位线的感测电流；以及感测控制电路，所述感测控制电路被配置为在所述擦除验证操作和所述编程验证操作中不同地设置所述感测电流的电平，以便感测所述存储串中选中的存储单元的阈值电压电平。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金炯锡，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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