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半导体存储器件及其操作方法技术
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文档序号:6868998
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本发明提供一种半导体存储器件,包括:存储串,所述存储串与位线耦接;页缓冲器,所述页缓冲器被配置为在擦除验证操作或编程验证操作中感测位线的感测电流;以及感测控制电路,所述感测控制电路被配置为在擦除验证操作和编程验证操作中不同地设置感测电流的电...
该专利属于海力士半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。
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