【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体存储装置，更具体地说，涉及用于使字线放电的技术。
技术介绍
通常，半导体存储装置接收外部电源，产生具有不同电压电平的内部电压，并使用这些内部电压来操作内部电路。具体地，诸如NAND快闪存储器的非易失性存储装置产生具有不同电压电平的多个字线控制电压，并在每个操作模式下将特定的字线控制电压传送到指定字线。例如，用于数据编程操作的字线控制电压具有非常高的电压电平。如果用于数据编程的字线控制电压被传送到字线，则耦合到该字线的相应的存储单元被编程。为了验证在数据编程操作之后存储单元是否被准确编程，将用于数据读取的字线控制电压传送到该字线以执行数据读取操作，并将在与该字线耦合的相应的存储单元中的编程数据输出。一般地，反复执行数据编程操作和数据读取操作，直至存储单元被准确编程为止。作为参考， 用于验证存储单元是否被准确编程的数据读取操作被称为验证操作。在向字线传送用于数据编程的字线控制电压的时间段与向字线传送用于数据读取的字线控制电压的时间段之间，发生字线放电时间段。换言之，在用于数据编程的高电压电平的字线控制电压的供应被中断之后且在用于数据读取的字线控制电...
【技术保护点】
１．一种半导体存储装置，包括：电压传送单元，所述电压传送单元被配置为在第一操作时间段将多个字线控制电压中的第一字线控制电压传送给指定字线，而在第二操作时间段将所述多个字线控制电压中的第二字线控制电压传送给所述指定字线；以及字线放电单元，所述字线放电单元被配置为在所述第一操作时间段与所述第二操作时间段之间的放电时间段期间，使所述字线放电到比接地电压高且比所述第一字线控制电压和所述第二字线控制电压低的电压电平。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔宰源，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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