半导体存储器制造技术

本发明专利技术公开了半导体存储器。该半导体存储器包括：读出放大器，该读出放大器响应于读出放大器使能信号的激活而操作并且根据位线的电压来确定非易失性存储元件中保持的逻辑，该电压随着流经真实元件晶体管的元件电流而变化；串联耦合在第一节点与地线之间的复制元件晶体管；以及定时生成单元。定时生成单元在经由复制元件晶体管耦合到地线的第一节点从高电平变化到低电平时激活读出放大器使能信号。复制元件晶体管包括接收恒定电压的控制栅和耦合到控制栅的浮栅。从而，可以根据存储元件的电特性来最优地设定读出放大器的激活定时。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及非易失性半导体存储器(nonvolatile semiconductor memory)。
技术介绍
在诸如闪存之类的非易失性半导体存储器中，已知多条局部位线耦合到一条共同的全局位线，并且每条局部位线耦合到存储元件(memory cell)。在国际公布 No. W02002/08M60和日本早期专利公布No. 2003-036203和No. 2004-318941中讨论了相关技术。在此类半导体存储器中，读出放大器(sense amplifier)耦合到局部位线并且存储元件中保持的数据的逻辑在不使用参考存储元件的情况下被读取。例如，在读取操作中，在对局部位线预充电之后，通过流经要访问的存储元件的元件电流改变局部位线的电压，然后通过利用读出放大器检测电压的变化来读取数据。在日本早期专利公布No. Hei 10-275489 和No. 2001-160297中讨论了相关技术。另外，已知一种非易失性半导体存储器，其中根据操作模式而改变读取操作中读出放大器的激活定时。在日本早期专利公布No. 2002-367390中讨论了相关技术。已知一种非易失性半导体存储器，其中在读本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体存储器，包括：至少一个包括真实元件晶体管的非易失性存储元件，该真实元件晶体管包括第一控制栅和第一浮栅；耦合到所述第一控制栅的字线；耦合到所述真实元件晶体管并且在读取操作之前被预充电的位线；读出放大器，该读出放大器在所述读取操作中响应于读出放大器使能信号的激活而操作并且根据所述位线的电压来确定每个所述非易失性存储元件中保持的逻辑，所述电压随着流经所述真实元件晶体管的元件电流而变化；以及定时生成单元，该定时生成单元包括串联耦合在第一节点与地线之间的复制元件晶体管和开关晶体管，并且当在所述读取操作时经由所述复制元件晶体管和所述开关晶体管耦合到所述地线的所述第一节点从高电平变化到低电平时...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森郁，内田敏也，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP