【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器，具体涉及每比特具有两个单元的电可擦除可编程非易失 (EERPOM)性存储器。
技术介绍
在EEPROM存储器中，存储在存储单元中的比特的逻辑值由浮置栅极晶体管的阈 值电压的值来表示，该浮置栅晶体管的阈值电压的值可以通过擦除或编程操作来任意改 变。浮置栅极晶体管的编程或擦除包括经由大约为10至20伏的编程/擦除电压Vpp通过 隧穿或福勒-诺德海姆O^owler-Nordheim)效应向晶体管的栅极注入电荷或从晶体管的栅 极抽取电荷。为了读取这种存储单元，将晶体管的阈值电压与基准电压进行比较，其中基准电 压通常基本上介于编程后的晶体管的负阈值电压和擦除后的晶体管的正阈值电压之间。实 践中，这种比较通过向晶体管的栅极施加基本上等于基准电压的读取电压，然后观察晶体 管处于导通状态还是截止状态来进行。由本领域技术人员通常称作“检测放大器”的、连接 至浮置栅极晶体管本身所连接至的位线的读取电路来探测晶体管的导通或截止状态。在该 读取过程期间，由于擦除后的晶体管的阈值电压高于读取电压，因此擦除后的晶体管维持 在截止状态。以此方式，位线中没有电流流动，这对...
【技术保护点】
一种存储设备，包括至少一个电可擦除可编程的非易失性存储单元组（ＭＣＵ），该存储单元组（ＭＣＵ）包括分别通过两个位线选择晶体管连接至两条位线（ＢＬ＋，ＢＬ－）的两个存储单元（ＣＥＬ１，ＣＥＬ２），其特征在于，在所述存储单元组的每个存储单元（ＣＥＬ１）的位线选择晶体管（ＢＬＳＴ１）和浮置栅极晶体管（ＦＧＴ１）之间的公共端子（Ｓ１）连接至所述存储单元组的另一存储单元（ＣＥＬ２）的浮置栅极晶体管（ＦＧＴ２）的控制栅极（ＣＧ２）。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗索瓦·塔耶特，
申请(专利权)人：ST微电子鲁塞有限公司，
类型：发明
国别省市：FR
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