快闪存储器件及其编程／擦除方法技术

一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第ｎ存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第ｎ字线，分别与所述第一到第ｎ存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟晶体管连接，第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第ｎ存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种快闪存储器件以及用于编程/擦除所述快闪存储器件的方法。
技术介绍
非易失性存储器件(例如快闪存储器件)可以是电可擦除可编程存储器件。所述 非易失性存储器件甚至在未被供电时也可以保持数据。例如，快闪存储器件可以是NAND类 型非易失性存储器件，其具有排列在NAND串上的存储器晶体管。
技术实现思路
实施例关注一种快闪存储器件以及用于编程/擦除该快闪存储器件的方法，其基 本上克服了由于相关技术的限制和缺陷导致的一个或多个问题。 根据本专利技术构思的一个方面，提供一种快闪存储器件，包括本体区域(bulk region);第一到第n存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行，n是等于或大于2的 自然数；第一到第n字线，分别与所述第一到第n存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单 元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的 栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟单元晶体管连接；第一选择线，与所述第一选 择晶体管的栅极连接；以及，电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被 适配成在用于擦除所述第一到第n存储单元晶体管的擦除模式中向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第ｎ存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行，ｎ是等于或大于２的自然数；第一到第ｎ字线，分别与所述第一到第ｎ存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的栅极连接；第一选择晶体管，与所述第一虚拟单元晶体管连接；第一选择线，与所述第一选择晶体管的栅极连接；和电压控制单元，与所述第一选择线连接，所述电压控制单元被适配成在用于擦除所述第一到第ｎ存储单元晶体管的擦除模式中向所述第一选择线输出一低于施加到所述本体区域的电压的电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔东郁，崔正达，李忠浩，许星会，刘民胎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]