【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非易失性半导体存储装置，该非易失性半导体存储装置具备M0N0S型的、具有多个存储器单元的存储器阵列，该存储器阵列在位线 方向被分离。该M0N0S型的存储器单元通过例如局部性地积蓄电荷从而存 储数据。
技术介绍
可以电性地全部擦除的非易失性半导体存储装置，其特征在于在没 有接通电源的状态下也不会丢失存储信息。作为非易失性半导体存储装置 的结构，已经有各种各样的方案问世。近几年来，使用通过局部性地积蓄电荷从而存储数据的M0N0S型的存储器单元、用假想接地构成存储器阵列 的方式，令人注目。其理由之一是因为该方式可以比较容易地实现用一个 存储器单元存储2比特的数据的缘故。在该方式中，通常采用下述结构在各擦除单位中配置选择晶体管，以便对于不檫除的擦除单位而言，不向位线施加电压。这意味着为了提高 擦除细分性，需要配置许多选择晶体管。因此，旨在配置选择晶体管的布 局面积增大，其结果就存在着导致存储器阵列的面积增大的问题。为了解决这个问题，有人提出了下述方式将存储器阵列分离成多个 位线组，在各位线组之间设置分离区域，从而不配置选择晶体管地提高擦 除细分性(专利文献...
【技术保护点】
一种非易失性半导体存储装置，具备存储器阵列， 所述存储器阵列具有： 多个非易失性存储器单元，这些非易失性存储器单元在ＸＹ方向上被阵列状配置，通过局部性地积蓄电荷从而存储数据； 多个字线，这些字线在所述多个非易失性存储器单元 的配置区域中，沿Ｘ方向延伸地配置； 多个位线及多个主位线，这些位线及主位线在所述多个非易失性存储器单元的配置区域中，沿Ｙ方向延伸地配置， 所述存储器阵列，由能够按照从所述非易失性半导体存储装置的外部输入的地址信号存储数据的使用区 域和不能按照从外部输入的地址信号存储数据的分离区域构成； 所述分离区域...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中山雅义，河野和幸，持田礼司，春山星秀，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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