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非易失性半导体存储装置制造方法及图纸
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下载非易失性半导体存储装置的技术资料
文档序号:4124493
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非易失性半导体存储装置,存储器阵列具有阵列状配置的存储器单元(101)、多个字线(102)、多个位线(103)及主位线(104),由能够存储数据的使用区域和不能存储数据的分离区域构成。使用区域配置的多个位线的每一个,通过选择晶体管作媒介,与...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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