闪存装置制造方法及图纸

本发明专利技术关于闪存装置以及擦除其的闪存单元的方法。该单元区块单元或页面单元的擦除，系根据页面擦除信号藉由包含在预译码器中的字线开关来发生效用的。假使擦除操作在单元区块单元中被执行，一个单元区块中的所有的字线都被保持为０Ｖ。同时，假使擦除操作仅在页面单元生效，则仅有对应页面的字线被保持为０Ｖ，且该剩余的字线被变得浮动，使得擦除操作未被执行。因此，擦除操作可于单元区块单元或页面单元中被执行。其即可有效的增进数据管理效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种NAND型式的闪存储装置，其中可执行一种单元区块或页面单元的擦除操作，以及关于一种擦除其闪存单元的方法。
技术介绍
通常，一NAND型闪存装置由多个单元区块(cell block)组成。每一个单元区块包含多个单元串(其序列连接有多个单元)、多个位线、多个字线、连接在单元串与位线之间的漏极选择晶体管，以及连接在单元串与共同源极线之间的源极选择晶体管。同时，共享一个字线的多个存储单元组成一页(one page)，且所有单元共享一P阱。该存储单元还包含一传递(pass)晶体管用以提供预定的电压到该单元区块。该传递晶体管包含用于漏极选择、源极选择和单元选择的多个高压晶体管。在上述结构的NAND型闪存装置中，为了编程数据到存储单元，首先被执行一擦除操作，接着执行一仅影响被选择的单元的编程操作。然而，在NAND型闪存组件上执行的编程操作是在一页面单元中进行的，而执行的擦除操作是在单元区块中进行的，这是因为所有的单元共享该P阱的缘故。下面将简短描述一个已知的擦除NAND型闪存装置的方法。多个单元区块中的一个单元区块被选择。一电源电压接着被施加到用于漏极选择、源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存装置，其包括：包含顺次连接有多个存储单元的多个单元串的多个单元区块，其中各个单元串均分配有一位线，且共享在多个存储单元中的一个字线的单元组成了一页面；一根据区块地址用于选择单元区块中的一个的区块选择电路；一预 译码器，用于根据页面地址与页面擦除信号，依据单元区块单元或页面单元的擦除确定多个全局字线的偏压；以及一开关单元，用于根据区块选择电路的输出信号，施加一个预定的偏压到单元区块的字线。

【技术特征摘要】
KR 2004-9-3 0070228/041.一种闪存装置，其包括包含顺次连接有多个存储单元的多个单元串的多个单元区块，其中各个单元串均分配有一位线，且共享在多个存储单元中的一个字线的单元组成了一页面；一根据区块地址用于选择单元区块中的一个的区块选择电路；一预译码器，用于根据页面地址与页面擦除信号，依据单元区块单元或页面单元的擦除确定多个全局字线的偏压；以及一开关单元，用于根据区块选择电路的输出信号，施加一个预定的偏压到单元区块的字线。2.如权利要求1所述的闪存装置，其中该单元区块包含连接于单元串与位线之间的漏极选择晶体管；以及连接于单元串与共同源极线之间的源极选择晶体管。3如权利要求1所述的闪存装置，其中该预译码器包含一字线译码器，用于根据页面地址选择性的输出多个选择信号；以及多个字线开关，均用于接收页面擦除信号与各个选择信号，并用于通过各个多个全局位线施加依据单元区块单元或页面单元的擦除的一个预定的偏压。4.如权利要求3所述的闪存装置，其中各个字线开关包含多个逻辑装置，用于接收选择信号与该页面擦除信号的反相的信号；一第一开关，用于根据逻辑装置的被反相的输出信号输出其导致一被选择的单元区块或一被选择的页面被擦除的一第一电压至全局字线；以及一第二开关，用于根据逻辑装置的输出信号输出其导致一未被选择的单元区块或一未被选择的页面不被擦除的一第二电压至全局字线。5.如权利要求4所述的闪存装置，其中该逻辑装置包含一NOR门。6.如权利要求4所述的闪存装置，其中该第一电压为0V且该第二电压是一高于电源电压的电压。7.如权利要求4所述的闪存装置，其中字线开关还包含第一升压装置，用于根据逻辑装置的被反相的输出信号而输出一第一升压信号，因而驱动该第一开关；以及第二升压装置，用于根据逻辑装置的输出信号而输出一第二升压信号，因而驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇寿，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]