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一种快闪存储器件，包括：本体区域；第一到第ｎ存储单元晶体管，在所述本体区域上被排列成行；第一到第ｎ字线，分别与所述第一到第ｎ存储单元晶体管的栅极连接；第一虚拟单元晶体管，与所述第一存储单元晶体管连接；第一虚拟字线，与所述第一虚拟单元晶体管的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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