发光二极管结构及其制作方法技术

一种发光二极管结构，包括发光元件层、图案化介电层、第一欧姆接触层、导电基板、第一电极层及第二电极层。发光元件层具有第一表面与相对第一表面的第二表面。图案化介电层配置于第一表面上并具有多个开口以暴露出部分发光元件层。第一欧姆接触层配置于图案化介电层上并透过这些开口而与发光元件层连接。导电基板配置于第一欧姆接触层上。第一电极层配置于第二表面上并覆盖部分发光元件层。第二电极层配置于导电基板上，且导电基板位于第一欧姆接触层与第二电极层之间。本发明专利技术另提供该发光二极管结构的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种二极管，且特别是有关于一种发光二极管结构。
技术介绍
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点， 发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器的指示灯或光源。一般来说，高亮度垂直型发光二极管通常会有电流分布不均的问题外，且其所提供的光线的指向性非常强，其中所谓指向性是指光线的光场分布非常集中。举例来说，正视发光二极管的中央方向其光场强度会最强，而稍偏离正向方向时，则光场强度便会快速减弱。此部分尤其在使用分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector,DBR)更为明显。另外，传统的垂直型发光二极管其在制作上通常会需要两次转移基板制程，才可完成其制作，因此其制作步骤会较为复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管结构，其具有较佳的光学表现及电性表现。本专利技术另提供一种发光二极管结构的制作方法，其可制作出上述的发光二极管结构外，并具有较为简易的制程步骤。本专利技术提出一种发光二极管结构，其包括一发光元件层、一图案化介电层、一第一欧姆接触层、一导电基板、一第一电极层及一第二电极层。发光元件层具有一第一表面与一第二表面。图案化介电层配置于第一表面上并具有多个开口以暴露出部分发光元件层。第一欧姆接触层配置于图案化介电层上，且第一欧姆接触层透过这些开口而与发光元件层连接。导电基板配置于第一欧姆接触层上而与第一欧姆接触层连接。第一电极层配置于第二表面上并覆盖部分发光元件层。第二电极层配置于导电基板上，且导电基板位于第一欧姆接触层与第二电极层之间。在本专利技术的一实施例中，第一欧姆接触层与图案化介电层共形。在本专利技术的一实施例中，导电基板透过这些开口而与第一欧姆接触层连接。在本专利技术的一实施例中，发光二极管结构更包括一第二欧姆接触层，覆盖于第一欧姆接触层并位于第一欧姆接触层与导电基板之间。在本专利技术的一实施例中，第二欧姆接触层适于填满这些开口，且第二欧姆接触层为一平坦层。在本专利技术的一实施例中，第一欧姆接触层适于填满这些开口，且第一欧姆接触层为一平坦层。在本专利技术的一实施例中，图案化介电层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝或光阻材质。在本专利技术的一实施例中，第一欧姆接触层的材质包括金属材料、透明导电氧化物或半导体材料。在本专利技术的一实施例中，第一欧姆接触层为单层结构或多层结构。在本专利技术的一实施例中，这些开口于图案化介电层上所构成的形状包括有凸出或凹陷的对称花纹、不对称花纹、梯形或圆锥形的结构。本专利技术另提出一种发光二极管结构的制作方法，其包括至少下列步骤。首先，提供一基板。接着，于基板上形成一发光元件层，其中发光元件层具有一第一表面与一相对第一表面的第二表面，且第二表面与基板接触。而后，于发光元件层的第一表面上形成一介电层。接着，图案化介电层以形成一具有多个开口的图案化介电层，其中这些开口暴露出部分发光元件层。然后，于图案化介电层上覆盖一第一欧姆接触层，其中第一欧姆接触层透过这些开口与部分发光元件层连接。接着，形成一导电基板于第一欧姆接触层上。之后，移除基板以暴露出发光元件层的第二表面。接着，形成一第一电极层于第二表面上以覆盖部分发光元件层，以及形成一第二电极层于导电基板上。在本专利技术的一实施例中，形成第一欧姆接触层的方法包括电镀法、蒸镀法、溅镀法或沉积法。在本专利技术的一实施例中，在形成导电基板于第一欧姆接触层之前，上述方法更包括覆盖一第二欧姆接触层于第一欧姆接触层上，且部分第二欧姆接触层适于填满这些开口而与这些开口内的部分第一欧姆接触层连接。在本专利技术的一实施例中，形成导电基板于第一欧姆接触层的方式包括接合法 (bonding)或电镀法(electroplate)。在本专利技术的一实施例中，当导电基板以电镀法形成于第一欧姆接触层时，导电基板适于填满这些开口而与第一欧姆接触层连接。在本专利技术的一实施例中，移除基板以暴露出发光元件层的第二表面的方式包括使用激光剥离法(laser lift off)。本专利技术又提出一种发光二极管结构，其包括一发光元件层、一欧姆接触层、一导电基板、一第一电极层以及一第二电极层。发光元件层具有一第一表面、一第二表面、多个凸起部与多个凹陷部，其中这些凸起部与这些凹陷部位于第一表面上。欧姆接触层覆盖于第一表面上，且欧姆接触层填入这些凹陷部内而与部分发光元件层连接。导电基板配置于欧姆接触层上而与欧姆接触层连接。第一电极层配置于第二表面上并覆盖部分发光元件层。 第二电极层配置于导电基板上，且导电基板位于欧姆接触层与第二电极层之间。在本专利技术的一实施例中，欧姆接触层共形于这些凸起部与这些凹陷部。在本专利技术的一实施例中，导电基板填入这些凹陷部内而与欧姆接触层连接。在本专利技术的一实施例中，发光二极管结构更包括多个介电层，分别配置于这些凸起部上，且每一这些介电层位于发光元件层与导电基板之间。在本专利技术的一实施例中，这些介电层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝或光阻材质。在本专利技术的一实施例中，欧姆接触层适于填满这些开口，且欧姆接触层为一平坦层。在本专利技术的一实施例中，欧姆接触层的材质包括金属材料、透明导电氧化物或半导体材料。在本专利技术的一实施例中，欧姆接触层为单层结构或多层结构。在本专利技术的一实施例中，这些凸起部与这些凹陷部于第一表面上所构成的形状包括有凸出或凹陷的对称花纹、不对称花纹、梯形或圆锥形的结构。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件层的材质包括氮化镓、氮化铝镓、氮化铝铟镓、磷化铝铟镓、砷化铝镓、砷化铟镓或上述组合。在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件层包括一第一型半导体层、一发光层及一第二型半导体层，发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。本专利技术再提出一种发光二极管结构的制作方法，其包括至少下列步骤。首先，提供一基板。接着，于基板上形成一发光元件层，其中发光元件层具有一第一表面与一相对第一表面的第二表面，且第二表面与基板接触。然后，于发光元件层的第一表面上形成一介电层。接着，图案化介电层以形成一具有多个开口的图案化介电层，其中这些开口暴露出部分发光元件层。之后，以图案化介电层为罩幕，移除这些开口所暴露出的部分发光元件层并于第一表面上形成多个凹陷部与多个相对这些凹陷部的凸起部，其中图案化介电层位于这些凸起部上。然后，于第一表面上覆盖一欧姆接触层，其中欧姆接触层适于填入这些凹陷部而与部分发光元件层连接。接着，形成一导电基板于欧姆接触层上。而后，移除基板以暴露出发光元件层的第二表面。接着，形成一第一电极层于第二表面上以覆盖部分发光元件层，以及形成一第二电极层于导电基板上。在本专利技术的一实施例中，形成欧姆接触层的方法包括电镀法、蒸镀法、溅镀法或沉积法。在本专利技术的一实施例中，形成导电基板于欧姆接触层的方式包括接合法 (bonding)或电镀法(electroplate)。在本专利技术的一实施例中，当导电基板以电镀法形成于欧姆接触层时，导电基板适于填满这些凹陷部而与欧姆接触层连接。在本专利技术的一实施例中，于第一表面上覆盖欧姆接触层时，上述方法更包括将欧姆接触层填满这些凹陷部而与发光元件层连接。在本专利技术的一实施例中，在覆盖欧姆接触层于第一表面之前，上述方法更包括移除位于这些凸起部上的图案化介电层。在本专利技术的一实施例中，移除基板以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管结构，包括：一发光元件层，具有一第一表面与一相对于该第一表面设置的第二表面；一图案化介电层，配置于该第一表面上；一第一欧姆接触层，配置于该图案化介电层上，且该第一欧姆接触层透过该第一欧姆接触层与该发光元件层耦接；一导电基板，配置于该第一欧姆接触层上而与该第一欧姆接触层耦接；一第一电极，配置于该第二表面上；以及一第二电极，配置于一该导电基板的下表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林咸嘉，唐慈淯，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71