本发明专利技术提供发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：导电支撑衬底；导电支撑衬底上的第一反射层；第二反射层，其中其至少部分被设置在第一反射层的侧表面上；第一和第二反射层上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构上的电极。第二反射层肖特基接触发光结构。
【技术实现步骤摘要】
实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。随着最近LED的照度被增加，LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED，可以实现发射高效的白光的LED。为了提高LED的亮度和性能，可以尝试诸如改进光提取结构的方法、改进有源层的结构的方法、改进电流扩展的方法、改进电极结构的方法、以及改进发光二极管封装的结构的方法的各种方法。
技术实现思路
实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。实施例还提供具有被提高的发光效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。在一个实施例中，一种发光器件包括导电支撑衬底；导电支撑衬底上的第一反射层；第二反射层，其中该第二反射层的至少部分被设置在第一反射层的侧表面上；第一和第二反射层上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；以及发光结构上的电极，其中第二反射层接触发光结构以实现肖特基接触，其中第二反射层的部分被设置在第一反射层和导电支撑衬底之间。在另一实施例中，一种发光器件封装，包括封装主体；封装主体上的第一和第二电极；以及权利要求1至14中的任何一项所述的发光器件，发光器件被设置在封装主体上并且被电气地连接到第一和第二电极。在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述、附图以及权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。附图说明图1是根据实施例的发光器件的截面图。图2至图7是示出制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。图8是根据另一实施例的发光器件的截面图。图9至图15是示出制造根据另一实施例的发光器件的工艺的视图。图16是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。图17是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。图18是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。具体实施例方式在实施例的描述中，应当理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，它可以“直接”在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下， 并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将基于附图来进行对关于各层“上”和“下”的参考。在附图中，为了描述的方便和清楚起见，各层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性绘制。而且，各个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。图1是根据实施例的发光器件100A的截面图。参考图1，根据实施例的发光器件100A可以包括导电支撑衬底170、导电支撑衬底 170上的第二反射层120、第二反射层120上的第一反射层110、第一和第二反射层110和 120上的发光结构145、以及发光结构145上的电极160。第一反射层110的至少部分接触发光结构145以实现欧姆接触。第二反射层120的至少部分接触发光结构145以实现肖特基接触。在这里，其中在第二反射层120和发光结构145之间实现肖特基接触的区域的至少部分可以与电极160 在垂直方向上重叠。因此，在根据实施例的发光器件100A中，可以防止其中电流集中地流入电极160 和导电支撑构件170之间的最短的距离的现象。因此，电流可以扩展到发光结构145的整个区域。第一反射层110可以由具有高反射率的包含Ag的金属或者合金形成。第一反射层110可以反射从发光结构145入射的光，以提高发光效率。而且，第二反射层120可以由具有高反射率的包含Ag的金属或者合金形成。第二反射层120可以反射从发光结构145入射的光，以提高发光效率。第一反射层和第二反射层可以由相同的材料形成。S卩，第一反射层110被部分地设置在导电支撑衬底170上。而且，第一反射层110 接触发光结构145。第二反射层120被部分地设置在导电支撑构件170上。而且，第二反射层120接触发光结构145。第一反射层110可以被设置在第二反射层120的至少部分的周围。第二反射层120的至少部分可以与第一反射层110齐平。在当前实施例中，第二反射层120的一部分被设置在第一反射层110下面。S卩，第二反射层120的一部分可以被设置在第一反射层110和导电支撑衬底170之间。而且，第二反射层120的一部分被设置在第一反射层110的侧表面上。即，第二反射层120可以在设置有发光结构145的方向上突出。尽管在当前实施例中第二反射层120的一个部分接触发光结构145，但是第二反射层120的多个部分也可以接触发光结构145。在下文中，将会详细地描述根据实施例的发光器件100A的各个组件。导电支撑衬底170支撑发光器件100A。而且，导电支撑衬底170随同电极160 — 起可以向发光结构145提供电力。导电支撑衬底170 可以由 Cu、Ni、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Pd、Pt、Si、Ge、GaAs、 aio、以及sic中的至少一个形成。第二反射层120可以被设置在导电支撑衬底170上。第二反射层120可以由具有高反射率的材料形成，其中从发光结构145入射的光被有效地反射并且接触发光结构145以实现肖特基接触。第二反射层120可以由导电材料形成并且包含金属材料。例如，第二反射层120可以由热处理的包含^Vg的金属或者合金形成。通常，包含Ag的金属或者合金可以欧姆接触P型半导体层。然而，当在大约400°C 至大约450°C的温度对包含Ag的金属或者合金进行热处理时，可以改变金属或者合金的物理性质以肖特基接触P型半导体层。因此，第二反射层120可以由热处理的包含Ag的金属或者合金形成。通过第一反射层110之间的间隙，第二反射层120的至少部分可以接触发光结构 145。因此，当使用沉积或者镀工艺形成第二反射层120时，在与第一反射层110之间的间隙相对应的区域中，第二反射层120的底表面可以向上突出，但是其不限于此。其中第二反射层120肖特基接触发光结构145的区域的至少部分可以与电极160 在垂直方向上重叠。因此，它可以防止电流集中地流入电极160和导电支撑衬底170之间的最短的距离，以将电流扩展到发光结构145的整个区域。用于提高在第二反射层120和导电支撑衬底170之间的界面的附着力的附着层可以进一步被设置在第二反射层120和导电支撑衬底170之间。例如，附着层可以包括包含 Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、Pd、Pt、Si、Al-Si、Ag-Cd, Au_Sb、Al-Zn、Al_Mg、 Al-Ge, Pd-Pb、Ag-Sb、Au-In、Al-Cu-Si、Ag-Cd-Cu、Cu-Sb, Cd-Cu, Al-Si-Cu、Ag-Cu, Ag-Zn, Ag-Cu-Zn、Ag-Cd-Cu-Zn、Au-Si、Au-Ge、Au-Ni、Au-Cu、Au-Ag-Cu、Cu_Cu20、Cu-Zn、Cu-P、 Ni-P, Ni-Mn-Pd本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：导电支撑衬底；所述导电支撑衬底上的第一反射层；第二反射层，其中该第二反射层的至少部分被设置在所述第一反射层的侧表面上；所述第一和第二反射层上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；以及所述发光结构上的电极，其中，所述第二反射层肖特基接触所述发光结构，其中，所述第二反射层的一部分被设置在所述第一反射层和所述导电支撑衬底之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹贤敬，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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