一种结构改良的LED芯片制造技术

本发明专利技术涉及LED制备技术领域，尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本发明专利技术所述的一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述衬底的下方层叠设置有反射镜，反射镜与衬底之间分布有颗粒状的银粒子，银粒子的一侧壁粘附于衬底的下表面，银粒子的其余侧壁与反射镜贴合。位于衬底下方的银粒子与反射镜组合并形成复合反射镜，相对于单一金属反射镜或者介电质反射镜而言，该复合反射镜具有较高的表面粗糙度并能够将有源层发出的光线由镜面反射状态变成漫反射状态，漫反射可以增加透出本发明专利技术的出光面的光线；所以，本发明专利技术能够有效地提高出光效率并最终提升照明亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED制备
，尤其涉及一种结构改良的LED芯片。
技术介绍
因过度开发导致全球面临能源短缺以及地球环境巨变的威胁，新型且节能省碳 概念的光源成为二十一世纪照明最重要的研究课题之一。发光二极管(Light Emitting Diode——LED)无疑是最具开发潜力的绿色照明光源的代表；发光二极管具有体积小、发热 量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、环保以及高亮度等优点。凭借上述多方面的优点，发 光二极管应用越来越普遍且应用范围日渐多元化，如交通信号灯、车用照明设备、户外显示 器、液晶电视以及手机背光源等。随着LED芯片制备技术不断地提高，如何提高亮度成为LED进入照明领域的重要 指标，其中以氮化镓(GaN)系发光二极管所扮演的角色更是不容忽视。现有LED灯虽然能 够在一定程度上实现照明功能，但是普遍存在出光效率不高，亮度亟待进一步提高等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足而提供一种出光效率、亮度均较高的结构 改良的LED芯片。为达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案来实现。一种结构改良的LED芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种结构改良的ＬＥＤ芯片，包括有从下至上依次层叠设置的衬底（１）、Ｎ型半导体层（２）、有源层（３）以及Ｐ型半导体层（４），其特征在于：所述衬底（１）的下方层叠设置有反射镜（５），反射镜（５）与衬底（１）之间分布有颗粒状的银粒子（６），银粒子（６）的一侧壁粘附于衬底（１）的下表面，银粒子（６）的其余侧壁与反射镜（５）贴合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王维昀，周爱新，
申请(专利权)人：东莞市福地电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：44