具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管。本实用新型专利技术在ＬＥＤ芯片的呈周期性的凹凸状的透明导电层粗化表面上覆盖分布布拉格反射镜，可以使分布布拉格反射镜呈相应的周期性凹凸状，起到高反射镜的作用，最大限度将从芯片发光层发出的光子向上反射，增加出光几率，从而增强发光二极管的出光效率。此外，分布布拉格反射镜还可以充当钝化保护层，减少或避免漏电等电性不良现象发生，提升产品良率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及氮化镓基发光二极管，尤其是涉及一种具有高反射镜的氮化镓基 倒装发光二极管。
技术介绍
发光二极管(英文为Light Emitting Diode，简称LED)是利用半导体的P-N结电 致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有环保、亮度高、功耗低、寿命长、工作电压 低、易集成化等优点。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED成功问世以来，随着研究的不 断深入，其发光亮度和发光效率不断提升，用GaN基LED半导体灯替代现有的照明光源将成 为势不可挡的趋势。然而半导体照明要进入千家万户，还有许多问题需要解决，其中最核心 的就是发光效率和生产成本。现有改善LED发光效率的方法主要有采用图形基板、透明基板、分布布拉格反射 镜(英文为Distributed Bragg Reflector，简称DBR)结构、表面微结构、倒装芯片、芯片键 合、激光剥离技术等。专利申请号为200410103926. X的专利技术专利申请提供了一种倒装片发光二极管 (FCLED)及其制造方法。通过在基片上顺序沉积η型覆层、活性层、ρ型覆层和反射层而形 成所提供的FCLED。反射层是由添加了溶质元素的本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管，包括：蓝宝石基板；缓冲层、Ｎ－ＧａＮ层、发光层和Ｐ－ＧａＮ层，依次形成于蓝宝石基板上；其特征在于，还包括：表面呈周期性凹凸状的ＩＴＯ透明导电层，形成于Ｐ－ＧａＮ层上；表面呈周期性凹凸状的分布布拉格反射镜覆盖于ＩＴＯ透明导电层的表面；Ｐ电极欧姆接触层形成于ＩＴＯ透明导电层上；Ｎ电极欧姆接触层形成于暴露的Ｎ－ＧａＮ层上；Ｐ电极欧姆接触层和Ｎ电极欧姆接触层与散热基板粘合。

【技术特征摘要】
具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管，包括蓝宝石基板；缓冲层、N GaN层、发光层和P GaN层，依次形成于蓝宝石基板上；其特征在于，还包括表面呈周期性凹凸状的ITO透明导电层，形成于P GaN层上；表面呈周期性凹凸状的分布布拉格反射镜覆盖于ITO透明导电层的表面；P电极欧姆接触层形成于ITO透明导电层上；N电极欧姆接触层形成于暴露的N GaN层上；P电极欧姆接触层和N电极欧姆接触层与散热基板粘合。2.如权利要求1所述的具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管，其特征在于P电极 欧姆接触层和N电极欧姆接触层通过金属导电层及Au金丝球焊点与散热基板粘合。3.如权利要求1所述的具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建森，刘传桂，林素慧，彭康伟，吴志强，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]