发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术公开了一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；基板，该基板位于所述发光结构上方；第一反射层，该第一反射层具有多个介电层，所述多个介电层包括第一介电层和第二介电层，该第一介电层位于所述基板上方并具有第一折射率，该第二介电层位于第一介电层上方并具有与第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射层，该第二反射层位于第一反射层上方，该第二反射层的折射率比第一反射层的每个介电层的折射率低。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。
技术介绍
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。该p_n结二极管能够通过将元素周期表中的III族和V族元素相组合而形成。通过调节化合物半导体的组成比，LED能够呈现各种颜色。当将正向电压施加给LED时，η层的电子与ρ层的空穴结合，从而可以产生与导带和价带之间的能隙相对应的能量。此能量主要被实现为热或光，并且LED以光的形式发出能量°氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽的带隙能量，因而氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件的领域受到高度关注。特别地，已经开发出并且广泛使用了采用氮化物半导体的蓝光、绿光、以及UV发光器件。根据电极的位置，LED分为横向型LED和垂直型LED。在横向型LED中，在导热基板上形成有发光结构，并且两个电极层在该发光结构上方对准。同时，在横向型LED中，厚的导热基板位于上述发光结构的下端，并且通过绝缘基板的横向侧发射大量的光，位于绝缘基板下端的反射层的功能是非常重要的。然而，根据现有技术，位于绝缘基板下端的反射层包括呈现弱可靠性的金属层。 即，该金属层的反射率可能随着时间的流本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；基板，所述基板位于所述发光结构上方；第一反射层，所述第一反射层具有多个介电层，所述多个介电层包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层位于所述基板上方并具有第一折射率，所述第二介电层位于所述第一介电层上方并具有与所述第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射层，所述第二反射层位于所述第一反射层上方，所述第二反射层的折射率比所述第一反射层的每个介电层的折射率低。

【技术特征摘要】
2010.03.22 KR 10-2010-00250751.一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层； 基板，所述基板位于所述发光结构上方；第一反射层，所述第一反射层具有多个介电层，所述多个介电层包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层位于所述基板上方并具有第一折射率，所述第二介电层位于所述第一介电层上方并具有与所述第一折射率不同的第二折射率；以及第二反射层，所述第二反射层位于所述第一反射层上方，所述第二反射层的折射率比所述第一反射层的每个介电层的折射率低。2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括支撑层，所述支撑层形成在所述第一反射层的一部分处，并且其中所述第二反射层包括空气层。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二反射层具有介于所述第一反射层的折射率和空气的折射率之间的折射率。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金鲜京，崔云庆，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR