【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及,该发光半导体器件具有这种结构朝向与出射窗口侧相反的那一侧发射的光被光反射层朝向出射窗口侧反射。
技术介绍
诸如发光二极管(LED)的发光半导体装置的外量子效率由两部分构成,即,内量子效率和光提取效率。这些效率的改善使得有可能实现长寿命、低功耗以及高输出的发光半导体器件。这里,例如通过精确地管理生长条件以获得具有较少晶体缺陷和位错的高质量的晶体或者提供能够抑制载流子溢流的分层结构来改善前者的内量子效率。另一方面, 例如通过提供这样的几何形状或分层结构来改善后者的光提取效率该几何形状或分层结构将大比例的光(从活性层发射并且在光被衬底和活性层吸收之前以小于逃逸锥的角度进入)提供到出射窗口。此外,也可以这样进行改善通过提供由具有高反射率的材料制成的光反射层,以使得朝向与出射窗口侧相反的那一侧发射的光被朝向出射窗口侧反射。附带地,在诸如发光二极管的发光半导体器件中,上述光反射层通常用作为将电流注入到半导体层中的电极,并且因此期望与半导体层形成良好的电接触。因此,通常将与各种半导体层形成良好的电接触并且具有大的通用性的铝(Al)、金(Au)、钼(Pt)、镍( ...
【技术保护点】
1.一种发光半导体器件,包括:半导体层;光反射层,其设置在所述半导体层上;以及保护层,通过无电镀镀敷来形成所述保护层以覆盖所述光反射层。
【技术特征摘要】
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