一种半导体晶片的裂片方法技术

一种半导体晶片的裂片方法。涉及半导体晶片裂片方法。在裂片后能轻松、快捷地将不良品剔除。晶片正面具有相互交叉的分裂槽，使晶片上形成若干相互连接的芯片，其中不良芯片通过检测后，标记上色点，按以下步骤将晶片分裂：1)配制粘连液；2)在膜一上均匀涂覆所述粘连液，接着将晶片正面朝下地贴合于所述膜一上；3)再往晶片背面均匀涂覆粘连液，再贴合膜二，使晶片处于两膜之间；4)利用滚压轮在膜二上，沿晶片正面的分裂槽的槽沿进行滚压，分裂槽断裂使晶片分裂为若干芯片；5)将整体翻转，使膜一朝上，揭去膜一，从仍粘附在膜二上已经分裂的若干芯片中剔除带有色点的芯片，制得。本发明专利技术简单、成本低、实用性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及一种采用无损高效剔除不良芯片的裂片方法。
技术介绍
半导体芯片制程中，为提高检测的效率，对晶片切割时不把晶片切割穿透，在仍处于连接状态时，即进行检测，对于其中的不良品，进行标记(比如，点上红墨水点)。这样能大大提高检测的工作效率。因此，在检测后的晶片还需要采用裂片的方式将芯片沿分裂槽分离开，形成若干小的芯片。但是裂片时一般均为非切割面向上裂片，而芯片正面向下。每片晶片的合格率不可能都为100%，其中的不良品需要挑选出来，然而测试时不良品的标记是作于芯片正面的，要将不良品挑出来，必须将裂片后的晶片翻转，将晶片正面向上。目前，由于缺乏高效的手段，分裂后，芯片无法处于一种相对固定的位置，随机散落，需从散落的若干小芯片中人工挑出不良品，挑选的劳动强度较大，稍有不慎，难以完全剔除其中不良品，造成少量不良品混入合格品中。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供了一种能结合进裂片工序中，在裂片后能轻松、快捷地将不良品剔除的半导体晶片的裂片方法。本专利技术的技术方案是所述晶片正面具有相互交叉的分裂槽，使晶片上形成若干相互连接的芯片，其中不良芯片通过检测后，标记上色点，按以下本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体晶片的裂片方法，所述晶片正面具有相互交叉的分裂槽，使晶片上形成若干相互连接的芯片，其中不良芯片通过检测后，标记上色点，其特征在于，按以下步骤将晶片分裂：１）、配制粘连液，将异丙醇和水按体积比１∶１．５－２．５均匀混合，待用；２）、在膜一上均匀涂覆所述粘连液，接着将所述晶片正面朝下地贴合于所述膜一上；３）、再往所述晶片背面均匀涂覆粘连液，再贴合膜二，使晶片处于所述两膜之间；４）、利用滚压轮在所述膜二上，沿所述晶片正面的分裂槽的槽沿进行滚压，分裂槽断裂使晶片分裂为若干芯片；５）、将整体翻转，使膜一朝上，揭去膜一，从仍粘附在膜二上已经分裂的若干芯片中剔除带有色点的芯片，制得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良恩，裘立强，魏兴政，
申请(专利权)人：扬州杰利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：32