【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种,且特别是有关于一种具有焊线球(stud bump)的。
技术介绍
传统的堆栈式(stacked)半导体结构由多个芯片堆栈而成。每个芯片具有数个焊球(solderball),该些锡球以回焊(reflow)方式形成于芯片上。芯片与芯片之间以另外的焊球,亦采用回焊的方式电性连接互相堆栈的芯片。然而,芯片在堆栈前经过一次回焊工艺,互相堆栈时又经过一次回焊工艺,亦即, 每个芯片至少经过二次回焊工艺。如此,会因为回焊工艺的高温而增加芯片的翘曲量,导致堆栈式半导体结构严重变形。
技术实现思路
本专利技术有关于一种,半导体封装件提供至少一焊线球。该焊线球以打线技术(wire bonding)形成,该焊线球用以与一半导体组件对接。由于该半导体组件与该焊线球的接合工艺可采用回焊以外的方式完成,因此可降低半导体封装件因受到高温所产生的变形量。根据本专利技术的一方面,提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片、一封胶、一贯孔、一第一介电层、一第一图案化导电层、一贯孔导电层、一第二图案化导电层及一第一焊线球。芯片具有一芯片侧面及相对的一主动表面与一芯片背面并包括一第 ...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件,包括:一芯片,具有一芯片侧面及相对的一主动表面与一芯片背面并包括一第一接垫,该第一接垫形成于该主动表面上;一封胶,具有一第一封胶表面与相对应的一第二封胶表面,该第一封胶表面露出该第一接垫,该封胶并包覆该芯片背面及该芯片侧面;一贯孔,从该第一封胶表面贯穿至该第二封胶表面;一第一介电层,形成于该第一封胶表面并具有露出该贯孔的一第一开孔;一贯孔导电层,形成于该贯孔内;一第一图案化导电层,形成于该第一开孔内并延伸至该贯孔导电层;一第二图案化导电层,形成于该第二封胶表面并延伸至该贯孔导电层;以及一第一焊线球,形成于位于该第二图案化导电层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈家庆,丁一权,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71
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